Les spécifications
Numéro de modèle :
IRFP4668PBF
Lieu d'origine :
Originaux
Quantité minimale de commande :
5 pièces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram, paypal ou tout autre moyen de paiement.
Capacité à fournir :
8000pcs par bouche
Délai de livraison :
8-13 jours
Détails de l'emballage :
400 pièces par tube
Catégorie de produits :
IRFP4668PBF
Définition :
Transistors 130 A 200 V 520 W 9,7 mOhms à 247 AC
Garantie :
3 mois
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK
Poids unitaire :
6G
Définition

IRFP4668PBF MOSFET à canal N 130 A 200 V à 247 AC

Applications

Réctification synchrone à haut rendement dans les SMPS

L'alimentation électrique est ininterrompue

Commutation d'alimentation à grande vitesse

Circuits à haute fréquence

Les avantages

Amélioration de la robustesse des portes, des avalanches et de la dynamique dV/dt

Capacité entièrement caractérisée et SOA avalanche

Capacité améliorée de la diode de carrosserie dV/dt et dI/dt

Ne contenant pas de plomb

Notes de crédit maximales absolues

MOSFET IRFP4668PBF à canal N Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms à 247 AC

Statique @ TJ = 25°C (sauf indication contraire)

MOSFET IRFP4668PBF à canal N Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms à 247 AC

Rating répétitif; largeur d'impulsion limitée par la température max. de jonction. Limitée par TJmax, TJ de départ = 25°C, L = 0,23mH RG = 25Ω, IAS = 81A, VGS = 10V. Partie déconseillée pour une utilisation au-dessus de cette valeur.DSI ≤ 81A, di/dt ≤ 520A/μs, VDD ≤ V(BR) DSS, TJ ≤ 175°C. Largeur d'impulsion ≤ 400μs; cycle de fonctionnement ≤ 2%.(TR) est une capacité fixe qui donne le même temps de charge que Coss alors que VDS passe de 0 à 80% VDSS. L'eff. de Coss (ER) est une capacité fixe qui donne la même énergie que Coss tandis que le VDS passe de 0 à 80% de VDSS. Lorsqu'il est monté sur un PCB carré de 1 " (matériau FR-4 ou G-10).Pour les techniques recommandées d'empreinte et de soudure, voir la note de demande #AN-994. Rθ est mesurée à TJ à environ 90°C.

Les spécifications

Attribut du produit Valeur attribuée
N-canal
1ère chaîne
Pour l'électricité
130 A
90,7 mOhms
- 30 V, + 30 V
1.8 V
161 après JC
- 55 °C
+ 175 C
Unité d'alimentation
Temps d'automne: 74 ns
Transconductivité vers l'avant - Min: 150 S
La hauteur: 20.7 mm
Longueur: 15.87 mm
Heure de montée: 105 ns
Temps de retard typique pour l'arrêt: 64 ns
Temps de retard typique d'allumage: 41 ns

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DHL eCommerce, 12 à 22 jours ouvrables.
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Option d'expédition Nous fournissons la livraison internationale par DHL, FedEx, EMS, SF Express et par courrier aérien enregistré.
Suivi des expéditions Nous vous informerons par e-mail avec le numéro de suivi une fois la commande expédiée.

Retour

garantie

Retour Les retours sont normalement acceptés lorsqu'ils sont effectués dans les 30 jours suivant la date d'expédition.Les pièces doivent être inutilisées et dans leur emballage d'origine.Le client doit prendre en charge l'expédition.
Garantie Tous les achats de Retechip sont assortis d'une politique de remboursement de 30 jours. Cette garantie ne s'applique pas à tout article dont les défauts ont été causés par un assemblage inapproprié du client,non-respect par le client des instructions, modification du produit, utilisation négligente ou incorrecte
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MOSFET IRFP4668PBF à canal N Transistor 130 A 200 V 520W 9,7 MOhms à 247 AC

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission