IRFP4668PBF MOSFET à canal N 130 A 200 V à 247 AC
Applications
Réctification synchrone à haut rendement dans les SMPS
L'alimentation électrique est ininterrompue
Commutation d'alimentation à grande vitesse
Circuits à haute fréquence
Les avantages
Amélioration de la robustesse des portes, des avalanches et de la dynamique dV/dt
Capacité entièrement caractérisée et SOA avalanche
Capacité améliorée de la diode de carrosserie dV/dt et dI/dt
Ne contenant pas de plomb
Notes de crédit maximales absolues
Statique @ TJ = 25°C (sauf indication contraire)
Rating répétitif; largeur d'impulsion limitée par la température max. de jonction. Limitée par TJmax, TJ de départ = 25°C, L = 0,23mH RG = 25Ω, IAS = 81A, VGS = 10V. Partie déconseillée pour une utilisation au-dessus de cette valeur.DSI ≤ 81A, di/dt ≤ 520A/μs, VDD ≤ V(BR) DSS, TJ ≤ 175°C. Largeur d'impulsion ≤ 400μs; cycle de fonctionnement ≤ 2%.(TR) est une capacité fixe qui donne le même temps de charge que Coss alors que VDS passe de 0 à 80% VDSS. L'eff. de Coss (ER) est une capacité fixe qui donne la même énergie que Coss tandis que le VDS passe de 0 à 80% de VDSS. Lorsqu'il est monté sur un PCB carré de 1 " (matériau FR-4 ou G-10).Pour les techniques recommandées d'empreinte et de soudure, voir la note de demande #AN-994. Rθ est mesurée à TJ à environ 90°C.
Les spécifications
Attribut du produit | Valeur attribuée |
---|---|
N-canal | |
1ère chaîne | |
Pour l'électricité | |
130 A | |
90,7 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
1.8 V | |
161 après JC | |
- 55 °C | |
+ 175 C | |
Unité d'alimentation | |
Temps d'automne: | 74 ns |
Transconductivité vers l'avant - Min: | 150 S |
La hauteur: | 20.7 mm |
Longueur: | 15.87 mm |
Heure de montée: | 105 ns |
Temps de retard typique pour l'arrêt: | 64 ns |
Temps de retard typique d'allumage: | 41 ns |
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