Transistor de puissance de transistor MOSFET Npn de puissance des transistors de puissance de Npn de silicium d'IRF3205PBF 55V 110A 8.0mΩ
Description
Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser
extrêmement - basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et robuste
la conception de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur extrêmement un efficace
et dispositif fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à
approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son large
acceptation dans toute l'industrie
Caractéristiques
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
SI | |
Par le trou | |
TO-220-3 | |
N-canal | |
La 1 Manche | |
55 V | |
110 A | |
8 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
2 V | |
97,3 OR | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
150 W | |
Amélioration | |
Tube | |
Configuration : | Simple |
Taille : | 15,65 millimètres |
Longueur : | 10 millimètres |
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