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Transistors 600V 31A 77 MOhms d'Infineon Coolmos IPB60R099P7 NPN PNP
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Les spécifications
Number modèle :
IPB60R099P7
Point d'origine :
original
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000pcs par bouche
Délai de livraison :
jours 2-3work
Détails de empaquetage :
1000PCS/REEL
Type :
Transistor MOSFET
Description :
PUISSANCE ÉLEVÉE de TRANSISTOR MOSFET de 31A 600V
Paquet :
TO-263-3
Emballage :
Bande et boîte
Garantie :
180 jours après l'expédition
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
Définition

Transistor de puissance d'Infineon 600V Coolmos IPB60R099P7 600V 31A 77 MOhms Npn

Applications

• Étapes dur de changement de PWM et étapes de changement résonnantes

• Adaptateur, LCD&PDP TV, éclairage

Description

transistor de puissance de 600V CoolMOSª P7

La 7ème plate-forme de génération de CoolMOS™ est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET à haute tension de puissance, conçue

selon le principe du superjunction (SJ) et frayé par Infineon Technologies. La série de 600V CoolMOS™ P7

est le successeur à la série de CoolMOS™ P6. Il combine les avantages d'un transistor MOSFET rapide de la commutation SJ avec excellent

facilité d'utilisation, par exemple tendance de sonnerie très basse, robustesse de diode de corps contre la commutation dure et excellent exceptionnels

Capacité d'ESD. En outre, extrêmement - les basses pertes de commutation et de conduction font des demandes de changement même

plus efficace, plus compact et beaucoup refroidisseur.

     

Transistors 600V 31A 77 MOhms d'Infineon Coolmos IPB60R099P7 NPN PNP      Transistors 600V 31A 77 MOhms d'Infineon Coolmos IPB60R099P7 NPN PNP                                                                                                   

Caractéristiques

                                                                                                              
•Approprié à la commutation dure et douce (PFC et LLC) due à une rugosité exceptionnelle de commutation de  
•Réduction significative de pertes de commutation et de conduction
•Excellente robustesse >2kV (HBM) d'ESD pour tous les produits
•Améliorez les produits du RDS (sur) /package comparés à la concurrence permise par un bas le RDS (dessus) *A du   (en-dessous du ² de 1Ohm*mm)
•Entièrement - CRNA qualifié. JEDEC pour des applications industrielles

Caractéristiques

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
SMD/SMT
TO-263-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
31 A
77 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
45 OR
- 55 C
+ 150 C
117 W
Amélioration
Bobine
Configuration : Simple
Temps de chute : 5 NS
Temps de montée : 15 NS

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Une fois que transporté, prévu délai de livraison dépend des transporteurs ci-dessous que vous avez choisis :
DHL exprès, 3-7 Business Day.
Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
Taux de expédition Après confirmation de l'ordre, nous évaluerons les frais de transport sur base du poids des marchandises
Option de expédition Nous fournissons DHL, Fedex, le SME, le SF exprès, et l'expédition internationale enregistrée de la poste aérienne.
Cheminement d'expédition Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué.

Renvoi

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IPB60R099P7
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MOQ :
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Conditions de paiement :
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Capacité d'approvisionnement :
10000pcs par bouche
Délai de livraison :
jours 2-3work
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce d'IC de circuit intégré, Puces programmables d'IC, Puce d'IC de mémoire
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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