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Transistor de puissance sans plomb de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC
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Les spécifications
Number modèle :
IRFP90N20DPBF
Point d'origine :
original
MOQ :
10pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
12000pcs par bouche
Délai de livraison :
jours 2-3work
Détails de empaquetage :
400PCS/REEL
Type :
Transistor MOSFET
Description :
Transistor MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Paquet :
TO-247-3
Emballage :
Tube et boîte
Garantie :
90 jours après l'expédition
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
Définition

Transistor de transistor MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Applications

• Convertisseurs à haute fréquence de DC-DC

• Sans plomb

Description

                                                                                                         

La famille de transistor MOSFET d'IR des transistors MOSFET de puissance utilise des processus montrés de silicium offrant à des concepteurs un dossier large de

dispositifs pour soutenir de diverses applications telles que des moteurs de C.C, des inverseurs, SMPS, éclairage, des commutateurs de charge aussi bien que batterie

applications actionnées. Les dispositifs sont disponibles en un grand choix de paquets extérieurs de bâti et d'à travers-trou avec l'industrie

empreintes de pas standard pour la facilité de la conception.

Transistor de puissance sans plomb de transistor MOSFET IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Caractéristiques

                                                                                                              

• Basse charge de Porte-à-drain pour réduire commuter des pertes

• Capacité entièrement caractérisée comprenant COSS efficace pour simplifier la conception, (voir l'appli. Note AN1001)

• Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

Caractéristiques

                                                                                                       
Attribut de produit Valeur d'attribut
Infineon
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
Par le trou
TO-247-3
N-canal
La 1 Manche
200 V
94 A
23 mOhms
- 30 V, + 30 V
1,8 V
180 OR
- 55 C
+ 175 C
580 W
Tube
Configuration : Simple
Temps de chute : 79 NS
Transconductance en avant - minute : 39 S
Taille : 20,7 millimètres
Longueur : 15,87 millimètres
Temps de montée : 160 NS

Guide marchand

Expédition Période de livraison Pour des pièces de dans-actions, on estime que des ordres se transportent en 3 jours.
Une fois que transporté, prévu délai de livraison dépend des transporteurs ci-dessous que vous avez choisis :
DHL exprès, 3-7 Business Day.
Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
Taux de expédition Après confirmation de l'ordre, nous évaluerons les frais de transport sur base du poids des marchandises
Option de expédition Nous fournissons DHL, Fedex, le SME, le SF exprès, et l'expédition internationale enregistrée de la poste aérienne.
Cheminement d'expédition Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué.

Renvoi

garantie

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce d'IC de circuit intégré, Puces programmables d'IC, Puce d'IC de mémoire
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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