Alimentation d'énergie de changement élevée de la tension 270W 115nC 80 MOhms du transistor 35A 650V de puissance de TK35N65W
Applications
Régulateurs de tension de changement
Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV employer le processus épitaxial simple de pointe, qui fournit un 30%
réduction du RDS (dessus), un facteur de mérite (FOM) pour des transistors MOSFET, comparé à son prédécesseur, DTMOSIII.
Cette réduction du RDS (dessus) permet pour loger les puces inférieures du RDS (dessus) dans les mêmes paquets.
Ceci aide à améliorer l'efficacité et à réduire la taille des alimentations d'énergie. Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV
soyez idéal pour l'usage avec des régulateurs de commutation.
Caractéristiques
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
SI | |
Par le trou | |
TO-247-3 | |
N-canal | |
La 1 Manche | |
650 V | |
35 A | |
80 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
4,5 V | |
115 OR | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
270 W | |
Tube | |
Taille : | 20,95 millimètres |
Longueur : | 15,94 millimètres |
Type de produit : | Transistor MOSFET |
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