Les spécifications
Number modèle :
IRF9530PBF
Point d'origine :
original
MOQ :
100pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
50000pcs par bouche
Délai de livraison :
jours 3-5work
Détails de empaquetage :
1000PCS
Type :
Transistor MOSFET de transistors de P-canal
Description :
-100V -14A 200mOhm 38.7nC MOSFT
Paquet :
TO-220-3
Emballage :
Boîte de Tube&
Garantie :
180days après l'expédition
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex \ courrier de SME \ du HK \ TNT
Définition

Transistor de puissance d'Infineon Pnp IRF9530PBF -100V -14A 200 MOhms 1 P-canal 38,7 OR

Applications

  • Rugosité accrue
  • Disponibilité large des associés de distribution
  • Qualification industriellement compatible
  • Haute performance dans des applications basses fréquences
  • La goupille- standard tient compte du remplacement de réunion informelle
  • Capacité à forte intensité

Description

Transistor MOSFET simple de puissance de P-canal de -100V dans un paquet TO-220

La famille de transistor MOSFET d'IR des transistors MOSFET de puissance utilise des processus montrés de silicium offrant à des concepteurs un dossier large des dispositifs pour soutenir de diverses applications telles que des moteurs de C.C, des inverseurs, SMPS, éclairage, des commutateurs de charge aussi bien que des applications à piles. Les dispositifs sont disponibles en un grand choix de paquets extérieurs de bâti et d'à travers-trou avec des empreintes de pas industriellement compatibles pour la facilité de la conception.

La Manche 38,7 OR du transistor de puissance d'Infineon Pnp IRF9530PBF 100V 14A 200MOhms 1 PLa Manche 38,7 OR du transistor de puissance d'Infineon Pnp IRF9530PBF 100V 14A 200MOhms 1 P                                                         

 

Caractéristiques

                                                                                                              
  • Structure cellulaire planaire pour SOA large
  • Optimisé pour la plus large disponibilité des associés de distribution
  • Qualification de produit selon la norme de JEDEC
  • Le silicium a optimisé pour des applications commutant ci-dessous <100khz>
  • Paquet industriellement compatible de puissance d'à travers-trou
  • Estimation à forte intensité

Caractéristiques

Parametrics IRF9530N
Prix budgétaire €/1k 0,35
JeD (@25°C) maximum -14 A
Support THT
Pdoigtmaximum 79 W
Paquet TO-220
Polarité P
QG(type @10V) 38,7 OR
Qgd 21,3 OR
RDS (dessus)(@10V) maximum mΩ 200
RthJCmaximum 1,9 K/W
Tjmaximum °C 175
VDSmaximum -100 V
VGS (Th)minute maximum -3 V -2 V -4 V
VGSmaximum 20 V

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Une fois que transporté, prévu délai de livraison dépend des transporteurs ci-dessous que vous avez choisis :
DHL exprès, 3-7 Business Day.
Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
Taux de expédition Après confirmation de l'ordre, nous évaluerons les frais de transport sur base du poids des marchandises
Option de expédition Nous fournissons DHL, Fedex, le SME, le SF exprès, et l'expédition internationale enregistrée de la poste aérienne.
Cheminement d'expédition Nous vous informerons par l'email avec le numéro de suivi une fois que l'ordre est embarqué.

Renvoi

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission