Transistors bipolaires de porte de série du transistor de puissance d'IGBT SGL160N60UFD 600V 160A 250W UFD
Description
La série de l'UFD de Fairchild de transistors bipolaires de porte Insulated (IGBTs) fournit la basse conduction et
pertes de changement. La série d'UFD est conçue pour des applications telles que le contrôle et le général de moteur
inverseurs où la commutation à grande vitesse est une caractéristique exigée.
Caractéristiques
• Commutation à grande vitesse
• Basse tension de saturation : VCE (reposé) = 2,1 V @ IC = 80A
• Impédance élevée d'entrée
• CO-PAK, IGBT avec FRD : trr = 75nS (type.)
Applications
Contrôles de moteur à C.A. et de C.C, inverseurs d'usage universel, robotique, contrôles servo, et alimentations d'énergie.
Caractéristiques
Symbole | Description | SGL160N60UFD | Unités |
VCES | Tension de collecteur-émetteur | 600 | V |
VGES | Tension de Porte-émetteur | ± 20 | V |
IC | Courant de collecteur @ comité technique = 25°C | 160 | |
IC | Courant de collecteur @ comité technique = 100°C | 50 | |
Missile aux performances améliorées (1) | Courant de collecteur pulsé | 300 | |
SI | Comité technique actuel en avant continu =100°C de diode @ | 25 | |
IFM | Courant en avant maximum de diode | 280 | |
Palladium | Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25°C | 250 | W |
Palladium | Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100°C | 100 | W |
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