IRGP4063DPBF IGW50N60H3 IGP50N60T IKD06N60RA a isolé le transistor bipolaire de porte
Applications
•alimentations d'énergie non interruptible
•convertisseurs de soudure
•convertisseurs avec la haute fréquence de changement
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
TO-247-3 | |
Par le trou | |
1,2 kilovolts | |
2,05 V | |
- 20 V, + 20 V | |
80 A | |
483 W | |
- 40 C | |
+ 175 C | |
Tube | |
Courant de collecteur continu IC maximum : | 80 A |
Courant de fuite de Porte-émetteur : | Na 600 |
Type de produit : | Transistors d'IGBT |
Poids spécifique : | 1,340411 onces |
Description
TRANSISTOR BIPOLAIRE ISOLÉ DE PORTE AVEC LA DIODE MOLLE ULTRA-RAPIDE DE RÉCUPÉRATION
Caractéristiques
• Basse technologie du fossé IGBT de VCE (DESSUS)
• Basses pertes de changement
• °C maximum de la température de jonction 175 • court-circuit SOA de 5 μS • Place RBSOA • 100% des pièces examinées pour 4X a évalué le courant (ILM) • Coefficient de température positif de VCE (DESSUS) • Diode molle ultra-rapide de Co-PAK de récupération • Distribution serrée de paramètre • Paquet sans plomb
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Renvoi |
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