Champ-arrêt 650 V, 60 de porte de fossé une série à grande vitesse IGBT de HB
Caractéristiques
• La température de jonction maximum : TJ = °C 175
• Série de changement à grande vitesse
• Courant réduit au minimum de queue
• Basse tension de saturation : VCE (reposé) = 1,6 V (type.) @ IC = 60 A
• Distribution serrée de paramètre
• Parallélisation sûre
• Coefficient de température positif de VCE (s'est reposé)
• Basse résistance thermique
• Diode antiparallèle de récupération douce très rapide
Applications
• Inverseurs photovoltaïques
• Convertisseurs à haute fréquence
Description
Ces dispositifs sont IGBTs développé utilisant une structure de propriété industrielle avancée de fieldstop de porte de fossé.
Ces dispositifs font partie des nouvelles séries de HB d'IGBTs, qui représentent un compromis optimum
entre la conduction et la perte de changement pour maximiser l'efficacité de tout convertisseur de fréquence.
En outre, le coefficient de température légèrement positif de VCE (s'est reposé) et la distribution très serrée de paramètre
résultat dans une opération de parallélisation plus sûre.
Caractéristiques
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
STMicroelectronics | |
Catégorie de produit : | Transistors d'IGBT |
SI | |
TO-247-3 | |
Par le trou | |
Simple | |
650 V | |
1,6 V | |
- 20 V, + 20 V | |
80 A | |
375 W | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
STGW60H65DFB | |
Tube | |
Courant de collecteur continu IC maximum : | 60 A |
Courant de fuite de Porte-émetteur : | Na 250 |
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