Les spécifications
Number modèle :
STGW60H65DFB
Point d'origine :
Usine originale
MOQ :
1pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPay
Capacité d'approvisionnement :
6000 pièces par mois
Délai de livraison :
jours 2-3work
Détails de empaquetage :
600pcs
Type :
Transistors d'IGBT
Description :
champ-arrêt IGBT de porte de fossé de 600V 60A
Expédition par :
DHL \ UPS \ Fedex
Délai d'exécution :
jours 2-3working
Puissance - maximum :
375W
Poids spécifique :
1,340411 onces
Définition

Champ-arrêt 650 V, 60 de porte de fossé une série à grande vitesse IGBT de HB

Caractéristiques

• La température de jonction maximum : TJ = °C 175

• Série de changement à grande vitesse

• Courant réduit au minimum de queue

• Basse tension de saturation : VCE (reposé) = 1,6 V (type.) @ IC = 60 A

• Distribution serrée de paramètre

• Parallélisation sûre

• Coefficient de température positif de VCE (s'est reposé)

• Basse résistance thermique

• Diode antiparallèle de récupération douce très rapide

Applications

• Inverseurs photovoltaïques

• Convertisseurs à haute fréquence

Description

Ces dispositifs sont IGBTs développé utilisant une structure de propriété industrielle avancée de fieldstop de porte de fossé.

Ces dispositifs font partie des nouvelles séries de HB d'IGBTs, qui représentent un compromis optimum

entre la conduction et la perte de changement pour maximiser l'efficacité de tout convertisseur de fréquence.

En outre, le coefficient de température légèrement positif de VCE (s'est reposé) et la distribution très serrée de paramètre

résultat dans une opération de parallélisation plus sûre.

Fossé à grande vitesse Igbt d'arrêt de champ de STGW60H65DFB Igbt 600V 60A Fossé à grande vitesse Igbt d'arrêt de champ de STGW60H65DFB Igbt 600V 60A

Caractéristiques

Attribut de produit Valeur d'attribut
STMicroelectronics
Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
SI
TO-247-3
Par le trou
Simple
650 V
1,6 V
- 20 V, + 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
STGW60H65DFB
Tube
Courant de collecteur continu IC maximum : 60 A
Courant de fuite de Porte-émetteur : Na 250

Guide d'achats

                                                                             
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Commerce électronique de DHL, 12-22 Business Day.
Priorité internationale de Fedex, 3-7 Business Day
SME, 10-15 Business Day.
La poste aérienne recommandée, 15-30 Business Day.
 

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Option de expédition

 

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Renvoi
garantie

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Fossé à grande vitesse Igbt d'arrêt de champ de STGW60H65DFB Igbt 600V 60A

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Fossé à grande vitesse Igbt d'arrêt de champ de STGW60H65DFB Igbt 600V 60A

Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
5000000-1000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
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