Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor MOSFET 800V 27A 0,32 le RDS de la Manche d'IXFK27N80Q N
Description
Transistors MOSFET Q-CLASS de puissance de HiPerFETTM
Le transistor MOSFET simple meurent
L'avalanche de mode d'amélioration de N-canal a évalué, bas Qg, haut dV/dt, bas trr

Caractéristiques
• IXYS a avancé le bas processus de Qg
• Basse charge et capacités de porte - plus faciles à conduire - une commutation plus rapide
• Les forfaits standards internationaux z le bas RDS (dessus) z ont évalué pour la charge inductive unclamped
le changement (UIS) a évalué
• Les époxydes de moulage rencontrent la classification de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94
Applications
• Chargeurs de batterie des convertisseurs z de DC-DC
• alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode
• Contrôle de moteur à courant alternatif des couperets z de C.C
• Contrôles de la température et d'éclairage
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-264-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 800 V | |
| 27 A | |
| 320 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 4,5 V | |
| 170 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 500 W | |
| Amélioration | |
| Tube | |
| Marque : | IXYS |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 13 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 20 S |
| Taille : | 26,16 millimètres |
| Longueur : | 19,96 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Expédition | Période de livraison |
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| Taux de expédition |
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| Option de expédition |
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Renvoi |
Renvoi |
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