STGW80V60DF STGW30NC60KD STGP19NC60KD STGF15M65DF2 a isolé le transistor bipolaire de porte
Applications
• Inverseurs photovoltaïques
• Alimentation d'énergie non interruptible
• Soudure
• Compensation de phase
• Convertisseurs très à haute fréquence
Caractéristiques
Catégorie de produit : | Transistors d'IGBT |
TO-247-3 | |
600 V | |
1,85 V | |
- 20 V, + 20 V | |
120 A | |
469 W | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
Courant de collecteur continu IC maximum : | 80 A |
Courant de fuite de Porte-émetteur : | Na 250 |
Poids spécifique : | 1,340411 onces |
Description
Ce dispositif est un IGBT développé utilisant une structure de propriété industrielle avancée d'arrêt de gisement de porte de fossé. Le dispositif fait partie des séries de V d'IGBTs, qui représentent un compromis optimum entre la conduction et les pertes de changement pour maximiser l'efficacité des convertisseurs très à haute fréquence. En outre, un coefficient de température positif de VCE (s'est reposé) et un résultat très serré de distribution de paramètre dans une opération de parallélisation plus sûre.
Caractéristiques
• La température de jonction maximum : TJ = °C 175
• Commutation sans queue • VCE (reposé) = 1,85 V (type.) @ IC = 80 A
• Distribution serrée de paramètres
• Parallélisation sûre
• Basse résistance thermique
• Diode antiparallèle de récupération douce très rapide
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