Les Bourns modèlent la technologie bipolaire isolée OFFERTE de cartel de transistors de porte (IGBTs) d'une porte de transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour applications à haute tension/à forte intensité. Le modèle A OFFERT la technologie avancée de Champ-arrêt de Fossé-porte d'utilisation d'IGBTs pour fournir un plus grand contrôle des caractéristiques dynamiques, ayant pour résultat une tension de saturation inférieure de collecteur-émetteur et moins pertes de changement. L'IGBTs comportent un -55°C à la gamme de température de fonctionnement de +150°C et sont disponible en paquets de TO-252, de TO-247, et de TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique inférieure leur faisant les solutions appropriées d'IGBT pour les alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS), les sources d'énergie non interruptibles (UPS), et les applications de la compensation de phase (PFC).