Les spécifications
Number modèle :
BIDW30N60T
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
60 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
90 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :
1.65V @ 15V, 30A
Puissance - Max :
230 W
Charge de porte :
76 OR
Définition

Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W par le trou TO-247

Les Bourns modèlent les transistors bipolaires isolés OFFERTS de porte

Les Bourns modèlent la technologie bipolaire isolée OFFERTE de cartel de transistors de porte (IGBTs) d'une porte de transistor MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour applications à haute tension/à forte intensité. Le modèle A OFFERT la technologie avancée de Champ-arrêt de Fossé-porte d'utilisation d'IGBTs pour fournir un plus grand contrôle des caractéristiques dynamiques, ayant pour résultat une tension de saturation inférieure de collecteur-émetteur et moins pertes de changement. L'IGBTs comportent un -55°C à la gamme de température de fonctionnement de +150°C et sont disponible en paquets de TO-252, de TO-247, et de TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique inférieure leur faisant les solutions appropriées d'IGBT pour les alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS), les sources d'énergie non interruptibles (UPS), et les applications de la compensation de phase (PFC).

CARACTÉRISTIQUES

  • BIDD05N60T
    • 600V, 5A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
    • Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
    • Optimisé pour la conduction
    • Robuste, paquet TO-252
    • RoHS conforme
  • BIDW20N60T
    • 600V, 20A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
    • Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
    • Optimisé pour la conduction
    • Basse perte de changement
    • Paquet TO-247
    • RoHS conforme
  • BIDW30N60T
    • 600V, 30A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
    • Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
    • Optimisé pour la conduction
    • Paquet TO-247
    • RoHS conforme
  • BIDW50N65T
    • 600V, 50A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
    • Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
    • Optimisé pour la conduction
    • Paquet TO-247
    • RoHS conforme
  • BIDNW30N60H3
    • 600V, 30A, basse tension de saturation de collecteur-émetteur
    • Technologie de Champ-arrêt de Fossé-porte
    • Basse perte de changement
    • Commutation rapide
    • Paquet de TO-247N
    • RoHS conforme

APPLICATIONS

  • alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS)
  • Sources d'énergie non interruptibles (UPS)
  • Compensation de phase (PFC)
  • Inverseurs (BIDW50N65T seuls)
  • Chauffage par induction (BIDW30N60T et BIDNW30N60H3 seuls)
  • Moteurs pas à pas (BIDW20N60T seuls)
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Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W par le trou TO-247

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Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
60 A
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Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W par le trou TO-247

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2020
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
10~20
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission