MachineU > Produits chinois > Équipement et fournitures électriques > Contrôles industriels > Pilote à fréquence variable
Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L
Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L
Les spécifications
Number modèle :
FGH4L40T120LQD
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
160 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :
1.8V @ 15V, 40A
Puissance - Max :
306 W
Énergie de changement :
1.04mJ (dessus), 1.35mJ ()
Définition

Arrêt de champ de fossé de FGH4L40T120LQD IGBT 1200 V 80 A 306 W par le trou TO-247-4L

onsemi FGH4L40T120LQD IGBT

l'onsemi FGH4L40T120LQD IGBT est ultra une construction robuste de fossé d'arrêt de champ qui fournit la représentation supérieure dans des applications de changement exigeantes. Cet IGBT est incorporé au dispositif qui est une diode indépendante Co-emballée molle et rapide avec une basse tension en avant. Le FGH4L40T120LQD IGBT offre les deux la basse tension de sur-état et la perte de changement minimale. Cet IGBT fonctionne à la température de jonction 175°C maximum. Le FGH4L40T120LQD IGBT fonctionne à 1200V, 40A, et est construit dans un paquet de TO247 4L. Les applications typiques incluent les inverseurs solaires et l'UPS, la commutation industrielle, et la soudure.

CARACTÉRISTIQUES

  • Fossé extrêmement efficace avec la technologie d'arrêt de champ
  • la température de jonction 175°C maximum (TJ)
  • Diode inverse rapide et molle de récupération
  • Optimisé pour bas VCE(SAT)
  • tension de collecteur-émetteur 1200V maximum (VCE)

APPLICATIONS

  • Inverseur solaire et UPS
  • Commutation industrielle
  • Soudure

CONNEXION DE PIN

Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L

CARACTÉRISTIQUES DE CHARGE DE PORTE

Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L

PRODUITS CONNEXES

Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Number modèle :
FGH4L40T120LQD
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
160 A
Fournisseur de contact
Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2020
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Circuits intégrés IC, Logique programmable IC, Diode Zener IC
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
10~20
Niveau de certification :
Verified Supplier
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Module de transistor d'IGBT
MachineU Produits chinois Équipement et fournitures électriques Contrôles industriels Pilote à fréquence variable
Fournisseur de contact
Exigence de soumission