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Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4
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Les spécifications
Number modèle :
FGHL75T65LQDTL4
MOQ :
50pcs
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :
1.35V @ 15V, 75A
Puissance - Max :
469 W
Énergie de changement :
1.01mJ (dessus), 2.53mJ ()
Définition

FGHL75T65LQDTL4 FS4 BAS VCESAT IGBT 650V 75A TO2

Attributs de produit
TYPE DESCRIPTION
Catégorie Produits semiconducteurs discrets
Transistors - IGBTs - simples
Mfr onsemi
Série -
Paquet Tube
Statut de produit Actif
Type d'IGBT Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 650 V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 1.35V @ 15V, 75A
Puissance - maximum 469 W
Énergie de changement 1.01mJ (dessus), 2.53mJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 779 OR
°C 25 du TD ("Marche/Arrêt") @ 40ns/548ns
Condition d'essai 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 87 NS
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet/cas TO-247-4
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247-4L
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Détails du produit
Number modèle :
FGHL75T65LQDTL4
MOQ :
50pcs
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :
1.35V @ 15V, 75A
Fournisseur de contact
Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4
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HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2019
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
CI de circuits intégrés, Logique programmable IC, Diode Zener IC
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
10~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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