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Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L
Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L
Les spécifications
Number modèle :
FGHL75T65MQDTL4
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :
1.8V @ 15V, 75A
Puissance - Max :
375 W
Énergie de changement :
1.2mJ (dessus), 1.1mJ ()
Définition

Arrêt de champ de fossé de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W par le trou TO-247-4L

fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx

le fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx sont 4mi-vitesse IGBTs de génération de Th bourré de technologies avec la diode actuelle entièrement évaluée. Les FGHL75T65MQDTx IGBTs fonctionnent à la température de jonction 175°C maximum, au collecteur 650V à la tension d'émetteur, et au courant de collecteur 75A. Ces IGBTs comportent le coefficient de température positif pour l'opération parallèle facile, la capacité à forte intensité, la commutation douce et optimisée, et la distribution serrée de paramètre. Le FGHL75T65MQDT est construit dans un paquet de TO247-3L et le FGHL75T65MQDTL4 IGBT est construit dans un paquet de TO247-4L. Ces IGBTs sont idéal pour des applications dans les inverseurs solaires, l'UPS, l'ESS, le PFC, et des convertisseurs.

CARACTÉRISTIQUES

  • la température de jonction 175°C maximum TJ
  • Coefficient de température positif pour une opération facile de parallèle
  • Capacité à forte intensité
  • Basse tension de saturation :
    • VCE(s'est reposé)= 1.15V (typique) @ jeC= 75A
  • 100% des pièces sont examinés pour ILM
  • Commutation douce et optimisée
  • Distribution serrée de paramètre
  • RoHS conforme

APPLICATIONS

  • Inverseurs solaires
  • UPS et ESS
  • PFC et convertisseurs
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Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L

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Détails du produit
Number modèle :
FGHL75T65MQDTL4
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :
300 A
Fournisseur de contact
Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2019
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
CI de circuits intégrés, Logique programmable IC, Diode Zener IC
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
10~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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