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Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Les spécifications
Number modèle :
IMBG120R350M1HXTMA1
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension drain à source (Vdss) :
1200V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :
4.7A (comité technique)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
468mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id :
5.7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs :
5,9 OR @ 18 V
Vg (Max) :
+18V, -15V
Définition

IMBG120R350M1HXTMA1 bâti PG-TO263-7-12 de la surface 65W (comité technique) du N-canal 1200 V 4.7A (comité technique)

Modules d'Infineon Technologies 1200V CoolSiC™

Les modules d'Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ sont des modules de transistor MOSFET de carbure de silicium (sic) qui offrent de bons niveaux de flexibilité d'efficacité et de système. Ces modules viennent avec les circuits proches de seuil (NTC) et la technologie de contact PressFIT. Les modules de CoolSiC comportent la densité à forte intensité, meilleure dans des pertes de commutation et de conduction de classe, et la basse conception inductive. Ces modules fournissent l'opération à haute fréquence, la densité de puissance accrue, et la durée de cycle et le coût optimisés de développement.

CARACTÉRISTIQUES

  • Densité à forte intensité
  • Meilleur dans des pertes de commutation et de conduction de classe
  • Basse conception inductive
  • Basses capacités de dispositif
  • Une diode intrinsèque avec la charge inverse de récupération
  • Capteur de température intégré de NTC
  • Technologie de contact PressFIT
  • Rendement élevé pour réduit refroidir l'effort
  • caractéristiques sans seuil de sur-état
  • Pertes de changement indépendantes de la température
  • Opération à haute fréquence
  • Densité de puissance accrue
  • Durée de cycle et coût optimisés de développement
  • RoHS conforme

CARACTÉRISTIQUES

  • DF23MR12W1M1 et DF11MR12W1M1 :
    • Configuration de propulseur
    • Configuration 1B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 62.8mm x de 33.8mm
  • FF8MR12W2M1 et FF6MR12W2M1 :
    • Double configuration
    • Logement 2B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 62.8mm x de 48mm
  • F423MR12W1M1P :
    • Configuration de FourPack
    • Configuration 1B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 62.8mm x de 33.8mm
  • FF11MR12W1M1, FF45MR12W1M1, et FF23MR12W1M1 :
    • Double configuration
    • Logement 1B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 62.8mm x de 33.8mm
  • F3L11MR12W2M1 :
    • configuration 3-level
    • Configuration 2B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 42.5mm x de 51mm
  • FS45MR12W1M1 :
    • Configuration de SixPACK
    • Logement 1B facile
    • Technologie M1
    • classe de la tension 1200V
    • dimensions de 62.8mm x de 33.8mm

RESSOURCES ADDITIONNELLES

SCHÉMAS DE CIRCUIT

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GRAPHIQUE DE REPRÉSENTATION

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Détails du produit
Number modèle :
IMBG120R350M1HXTMA1
MOQ :
50pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000000 pièces
Tension drain à source (Vdss) :
1200V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :
4.7A (comité technique)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
468mOhm @ 2A, 18V
Fournisseur de contact
Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2020
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Circuits intégrés IC, Logique programmable IC, Diode Zener IC
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
10~20
Niveau de certification :
Verified Supplier
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