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transistors de puissance élevée des FETs rf de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W avec la protection intégrée d'ESD
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Les spécifications
Numéro de type :
VBE09260B2
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1pcs
Capacité d'approvisionnement :
10k
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails d'emballage :
emballage neutre
Condition :
tout nouveau et original
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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
Signal de téléphone cellulaire Jammer, brouilleur de signal de wifi, Brouilleur tenu dans la main de signal
Total annuel :
5000000-10000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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