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Transistor à bande large large des FETs 28V LDMOS rf du transistor de puissance de la bande 700-3600MHz 20W rf LDMOS, transistors de la puissance élevée rf
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Les spécifications
Numéro de type :
VBE36015E2
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1pcs
Capacité d'approvisionnement :
10k
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Détails d'emballage :
emballage neutre
Condition :
Tout neuf et original
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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2010
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
Signal de téléphone cellulaire Jammer, brouilleur de signal de wifi, Brouilleur tenu dans la main de signal
Total annuel :
5000000-10000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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