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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

Les spécifications

Numéro de type :

VBE6006H

Point d'origine :

La Chine

MOQ :

1pcs

Capacité d'approvisionnement :

10k

Délai de livraison :

5-8 jours ouvrables

Détails d'emballage :

emballage neutre

Condition :

Tout neuf et original

Définition

C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

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Détails du produit

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Détails d'emballage :

emballage neutre

Fournisseur de contact

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier

8 Années

guangdong, shenzhen

Depuis 2010

Type d'entreprise :

Fabricant

Produits principaux :

Signal de téléphone cellulaire Jammer, brouilleur de signal de wifi, Brouilleur tenu dans la main de signal

Total annuel :

5000000-10000000

Nombre de salariés :

100~150

Niveau de certification :

Verified Supplier

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