MachineU > Produits chinois > Équipement et fournitures électriques > Alimentations > Changer de source d'alimentation
Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
Les spécifications
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Number modèle :
2N5401
VCBO :
-160V
VCEO :
-150V
VEBO :
-5V
Utilisation :
Composants électroniques
Tj :
150Š
Cas :
Bande/plateau/bobine
Définition

TO-92 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

 

Commutation et amplification de Ÿ dans la haute tension

Applications de Ÿ telles que la téléphonie

Ÿ à faible intensité

Haute tension de Ÿ

 

 

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode de emballage Quantité de paquet
2N5401 TO-92 Le volume 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Bande 2000pcs/Box

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -160 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -150 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur -0,6
PC Dissipation de puissance de collecteur 625 mW
R0 JA Résistance thermique de jonction à ambiant 200 Š/W
Tj La température de jonction 150 Š
Tstg Température de stockage -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire

 

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = -0.1MA, IE =0 -160     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC =-1MA, IB =0 -150     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =-0.01MA, IC =0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =-120V, IE =0     -50 Na
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =-3V, IC =0     -50 Na

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE =-5V, IC =-1MA 80      
hFE (2) VCE =-5V, IC =-10MA 100   300  
hFE (3) VCE =-5V, IC =-50MA 50      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC =-50MA, IB =-5MA     -0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC =-50MA, IB =-5MA     -1 V
Fréquence de transition pi VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz 100   300 Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION du hFE (2)

RANG B C
GAMME 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Caractéristiques typiques

 

 


Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques 

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

 


 
 

Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TYPE 0,050 TYPES
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

 Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques
 




 
 

Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Fournisseur de contact
Transistor de la puissance élevée PNP de transistor de puissance de silicium de GV pour les composants électroniques

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
STM32 IC, Stabilisateur IC de tension, Unité de microcontrôleur de MCU
Niveau de certification :
Verified Supplier
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Transistor de puissance de silicium
MachineU Produits chinois Équipement et fournitures électriques Alimentations Changer de source d'alimentation
Fournisseur de contact
Exigence de soumission