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transistor de puissance du transistor de puissance du silicium 600mA NPN à forte intensité
transistor de puissance du transistor de puissance du silicium 600mA NPN à forte intensité
Les spécifications
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Number modèle :
A42
Tension de collecteur-base :
310V
Tension d'Émetteur-base :
5V
Tstg :
-55~+150℃
Matériel :
Silicium
Courant de collecteur :
600 mA
Définition

SOT-89-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors A42 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Basse tension de saturation de collecteur-émetteur

Tension claque élevée

 

Inscription : D965A

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 310 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 305 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 200 mA
Missile aux performances améliorées Courant de collecteur - pulsé 500 mA
PC Dissipation de puissance de collecteur 500 mW
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 250 ℃/W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55~+150 ℃

 
 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =100ΜA, IE =0 310     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC =1MA, IB =0 305     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =100ΜA, IC =0 5     V

 

Courant de coupure de collecteur

 ICBO VCB =200V, IE =0     0,25 µA
 

 

ICEX

 VCE =100V, VX =5V     5 µA
    VCE =300V, VX =5V     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =5V, IC =0     0,1 µA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE =10V, IC =1MA 60      
  hFE (2) VCE =10V, IC =10MA 100   300  
  hFE (3) VCE =10V, IC =30MA 75      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC =20MA, IB =2MA     0,2 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC =20MA, IB =2MA     0,9 V
Fréquence de transition pi VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Mégahertz

 

 

 
 

 Caractéristiques typiques

 

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Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Réf. 0,061 Réf.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TYPE. 0,060 TYPES.
e1 3,000 TYPE. 0,118 TYPES.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
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SOT-89-3L a suggéré la disposition de protection

 

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Bande et bobine de SOT-89-3L
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Depuis 2009
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
STM32 IC, Stabilisateur IC de tension, Unité de microcontrôleur de MCU
Nombre de salariés :
80~120
Niveau de certification :
Verified Supplier
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