Les spécifications
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Number modèle :
MMBD1501A
Type :
COMMUTATION DIODESOD
CARACTÉRISTIQUE :
Basse fuite
Transistor de transistor MOSFET de puissance :
SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes
Tension de blocage de C.C :
200v
Identité de produit :
MMBD1501A
Dissipation de puissance :
350mW
Définition

La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
basse fuite de 
conductibilité élevée de 

Inscription : A11

fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse

 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse
 


 
 
 
Characterisitics typique
    
 
fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v bassefuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse



 
 
 
 
 
 
Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
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fuite de transistor à forte intensité de transistor de puissance du silicium 200v basse

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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Type d'entreprise :
Fabricant
Niveau de certification :
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