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le mofet sic

324

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

du transistor MOSFET 4N-Channel plein de pont de la rangée MSCSM170HM23CT3AG module d'alimentation de transistor MOSFET sic 602W

Number modèle：MSCSM170HM23CT3AG

MOQ：10

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SiC Mosfet à très faible résistance et à haut rendement pour les systèmes d'énergie renouvelable

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

SiC Mosfet à très faible résistance et à haut rendement pour les systèmes d'énergie renouvelable

Délai de livraison：Je confirme.

Lieu d'origine：Chine

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SHAREWAY TECHNOLOGY CO., LTD.

750319331 paquet auxiliaire du transformateur EP7 d'entraînement de porte pour le SIC-transistor MOSFET/IGBT

Number modèle：750319331

MOQ：100pcs

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Métal pratique à haute tension Sic Mosfet, semi-conducteur au carbure de silicium de type N

Délai de livraison：2 à 30 jours (selon la quantité totale)

Lieu d'origine：Guangdong, NC

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Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd

Taille personnalisée épaisseur 0,32 mm Substrats de nitrure de silicium pour IGBT et MOSFET SiC

Délai de livraison：HABITUELLEMENT 1 MOIS

Point d'origine：La Chine

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Wafer de graines SiC 4H N Type Dia 153 155 2 pouces-12 pouces personnalisé pour la fabrication de MOSFET

Délai de livraison：2-4weeks

Numéro de modèle：Wafer de graines de SiC

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

6H-N Semi-isolant SiC Substarte / Wafer Pour les MOSFETs、JFETs BJTs haute résistivité large bande passante

Délai de livraison：2 à 4 semaines

Numéro de modèle：4H Substrate/plaque SiC semi-isolateur

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$Carbure de silicium noir comme réfractaire dans la production de céramique$

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Zhenan Metallurgy Co., Ltd

Carbure de silicium noir comme réfractaire dans la production de céramique

Capacité d'approvisionnement：2000 MT/mois

Numéro de modèle：Carbure de silicium

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QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1,7GHz 23,9dB 500W NI-780 Transistors RF Pour les appareils électroniques électriques

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Wisdtech Technology Co.,Limited

QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1,7GHz 23,9dB 500W NI-780 Transistors RF Pour les appareils électroniques électriques

Définition：QPD1016 RF Mosfet 55V 1A 1,7GHz 23,9dB 500W NI-780 Transistors RF Pour les appareils électroniques é

Le stock：100 pièces

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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

C3M0016120K TO-247-4 Puissance par carbure de silicium MOSFET de type N Composant électronique

Capacité d'approvisionnement：15760 pièces

numéro de modèle：C3M0016120K

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Shenzhen Res Electronics Limited

Conseil de logique léger solaire de la carte de 43D3F C430F16-E3-L PCBA Gerber 6870C-0532A VER V0.6

Number modèle：6870C-0532A

MOQ：discutable

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

Number modèle：IMBG120R350M1HXTMA1

MOQ：50pcs

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