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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

FQP30N06 Transistors Npn à triple diffusion à vente chaude à haute fréquence RF

Température de fonctionnement：- Je ne sais pas.

Série：circuits intégrés à diode triode, FQP30N06

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Wisdtech Technology Co.,Limited

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Transistor de puissance RF à poussée-tirée MOSFET

Délai de livraison：1 jour

Numéro de modèle：D2085Royaume-Uni

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Angel Technology Electronics Co

TRANSISTORS MOSFET de transistor de puissance de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E rf

Number modèle：PD85035S-E

MOQ：10pieces

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Module d'amplificateur de puissance RF ISO 9001 avec planéité de gain ≤ ± 0,5 dB Retard de groupe ≤ 2ns Module de brouilleur de signal RF

Taille：130*35*15mm

Chaîne de température de fonctionnement：-40℃~+85℃

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TESTRO ELECTRONICS LLC

Agilent RF Power Sensor 8481B 18 GHz Capteur de puissance de thermocouple à haute puissance

Délai de livraison：3-5 jours

Numéro de modèle：Le système d'avertissement doit être conforme à l'annexe I.

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor 800V 27A 0,32 le RDS de transistor MOSFET de la Manche d'IXFK27N80Q N

Number modèle：IXFK27N80Q

MOQ：2pcs

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Shenzhen Meigaolan Electronic Instrument Co. Ltd

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Shenzhen Maixintong Technology Co., Ltd

Signal pratique d'onde entretenue de l'amplificateur de puissance de 40dBm rf SMA/N pour le brouilleur de GPS

Number modèle：PA1268T1624M 10W-28V

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Padi Fly Technology Co., Ltd

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Capacité d'approvisionnement：10000 ensembles/mois

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Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

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Sichuan Qixing Electronics Co., Ltd.

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Lieu d'origine：Guangdong, Chine

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Délai de livraison：négociable

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Shenzhen TeXin electronic Co., Limited

N-end PA 1200-1500 MHz à haute puissance 100W RF module d'amplificateur de puissance compteur UAV FPV

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Shenzhen Huanuo Innovate Technology Co.,Ltd

Aucun amplificateur de puissance de la commande numérique rf, amplificateur radiofréquence 2 watts

Capacité d'approvisionnement：500 pièces par mois

MOQ：1pcs

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

1200V transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de N-canal du transistor MOSFET SCTWA50N120 par le trou HiP247

Number modèle：SCTWA50N120

Point d'origine：NC

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Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.

Module d'amplificateur de puissance RF de 100 W 600-700 MHz

Délai de livraison：2-10days

Numéro de modèle：Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'expérience acquise.

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Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor MOSFET simple 20V 9A 8WDFN de puissance de la Manche des FETs P de puce d'IC de transistor de NTTFS3A08PZTAG

Number modèle：NTTFS3A08PZTAG

MOQ：discutable

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