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Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N
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Semi-conducteurs à haute puissance

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MOSFET de puissance avec résistance à haute température, faible fuite et faible capacité de jonction
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Faible fuite Faible capacité de jonction haute température résistance tension N-canal
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Voltage IGBT à faible capacité de jonction pour les températures à faible fuite
Semi-conducteurs à haute puissance

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Capacité de jonction basse puissance N-canal semi-conducteur
Semi-conducteurs à haute puissance

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Résistance à haute température, faible fuite, faible capacité de jonction de type N, MOSFET pour une efficacité énergétique avancée
Semi-conducteurs à haute puissance

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N Semiconducteur haute tension TO-251 avec performance thermique améliorée
Semi-conducteurs à haute puissance

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Faible fuite Des dispositifs discrets à haute puissance de semi-conducteurs améliorent l'efficacité énergétique
Semi-conducteurs à haute puissance

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Semi-conducteur de puissance résistant à haute température avec faible capacité de jonction
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Tolérance à haute tension, semi-conducteur TO-220F pour convertisseur de puissance
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Moins de fuite N-canal MOSFET à haute puissance TO-220F TO-263C TO-247AC
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Conception de type N, semi-conducteur haute puissance TO-220F avec des capacités de commutation rapides
Semi-conducteurs à haute puissance

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IGBT haute puissance à faible fuite N-canal pour applications industrielles
Semi-conducteurs à haute puissance

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Semi-conducteurs à haute puissance de canal N à faible fuite et à faible capacité de jonction
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Semi-conducteurs à haute tension à faible fuite pour la pile de charge
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Semi-conducteur à haute puissance de canal TO-247 N pour chargeur
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Puissance élevée faible fuite N canal IGBT résistant à haute température
Semi-conducteurs à haute puissance

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Semi-conducteur à haute puissance de canal N TO-220F avec résistance à haute température
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Transistor à haute tension de type N TO-220F à faible capacité de jonction
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TO-252 Surface Mount High Power Semiconductor 5A 500V 1.33Ω Pour le sèche-cheveux
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