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Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N
Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N
Les spécifications
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
Demandez
Conditions de paiement :
T/T à l'avance (EXW)
Capacité à fournir :
600KK par an
Délai de livraison :
2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Voltage :
Haute tension
Avantages :
Un processus stable et une qualité fiable
Capacité de jonction :
Faible capacité de jonction
Efficacité :
Haute efficacité
Caractéristiques :
Faible RDS ((on) par zone de puce ((faible FOM)
Applications :
Invertisseurs solaires, alimentation en courant alternatif
Définition

Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N

 

Caractéristiques
• Faible charge de la porte
• Faible RDS (allumée) par zone de puce (faible FOM)
• très faible perte de commutation et de conduction
• Résistance à la commutation extrêmement élevée

 

Applications
• Invertisseurs solaires
• Téléviseur LCD/LED/PDP
• Énergies de télécommunications/serveurs
• alimentation en courant alternatif
 
 
 
 
 
Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N
 
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Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N

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Détails du produit
Lieu d'origine :
Chine
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Conditions de paiement :
T/T à l'avance (EXW)
Capacité à fournir :
600KK par an
Délai de livraison :
2-30 jours ((Dépend de la quantité de la commande)
Détails de l'emballage :
Tube+Carton
Fournisseur de contact
Application pour plusieurs usages, semi-conducteurs à haute puissance, canal N

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member
1 Années
guangdong, dongguan
Depuis 2012
Produits principaux :
Invertisseur IGBT, IGBT à haute puissance, Transistor MOSFET de puissance élevée
Total annuel :
>40000000
Nombre de salariés :
>200
Niveau de certification :
Active Member
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