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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Les spécifications
Numéro de modèle :
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
DRACHME
Technologie :
DRAM - EDO
Capacité de la mémoire :
16Mbit
Organisation de mémoire :
1M x 16
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
-
Temps d'accès :
25 NS
Voltage - alimentation :
3V à 3,6V
Température de fonctionnement :
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
42-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
42-SOJ
Définition

Détails du produit

Définition

L'ISSIIS41LV16100B est 1,048,576 x 16 bits de haute performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Ces appareils offrent un accès à cycle accéléré appelé mode page EDO.024 accès aléatoires dans une seule ligne avec un temps de cycle d'accès aussi court que 20 ns par mot à 16 bits.

Caractéristiques

• Entrées et sorties compatibles TTL; E/S à trois états
• Intervalle de mise à jour:
Mode de mise à jour automatique: 1 024 cycles / 16 ms
¢ RAS uniquement, CAS avant RAS (CBR) et caché
• Le dessin standard de la JEDEC
• alimentation unique: 3,3 V ± 10%
• Opération d'écriture et de lecture par byte via deux CAS
• Plage de température industrielle: -40°C à +85°C
• Disponible sans plomb

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationLe secteur privé
Catégorie de produitsLes puces IC
Série-
EmballageTuyaux
Boîtier de colis42-BSOJ (0,400" et 10,16 mm)
Température de fonctionnementPour les appareils de traitement des eaux usées:
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur42-SOJ
Capacité de mémoire16M (1M x 16)
Type de mémoireDRAM - EDO
Vitesse50 ans
Format-mémoireLa RAM

Décrits

DRAM - mémoire EDO IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 25ns 42-SOJ
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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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