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Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.
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Les spécifications
Numéro de modèle :
IS42S32800J-7BLI
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
DRACHME
Technologie :
SDRAM
Capacité de la mémoire :
256Mbit
Organisation de mémoire :
8M x 32
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
143 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
-
Temps d'accès :
5,4 NS
Voltage - alimentation :
3V à 3,6V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
90-TFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
90-TFBGA (8x13)
Définition

Détails du produit

Résumé

La DRAM synchrone ISSIS 64 Mb IS42S32200 est organisée en 524.288 bits x 32 bits x 4 banques pour une meilleure performance.Tous les signaux d'entrée et de sortie se réfèrent au bord croissant de l'entrée de l'horloge.

Définition générale
La SDRAM de 64 Mb est une mémoire CMOS dynamique à accès aléatoire à haute vitesse conçue pour fonctionner dans des systèmes de mémoire de 3,3 V contenant 67108Configuré en interne comme une DRAM quad-bank avec une interface synchrone.777La banque de 216 bits est organisée en 2048 lignes de 256 colonnes de 32 bits.

Caractéristiques

• Fréquence de l'horloge: 166, 143 MHz
• entièrement synchrone; tous les signaux sont référencés sur un cadran positif
• Banque interne pour accès à la rangée de caches/précharge
• alimentation unique de 3,3 V
• Interface LVTTL
• Longueur de rafale programmable 1, 2, 4, 8, page complète
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle/intermédiaire
• Mode de mise à jour automatique
• 4096 cycles de mise à jour toutes les 64 ms
• Adresse de colonne aléatoire à chaque cycle d'horloge
• latence du CAS programmable (2, 3 heures)
• Capacité de lecture/écriture rapide et de lecture/écriture rapide
• Termination de l'explosion par commande d'arrêt de l'explosion et de précharge
• Disponibilité de température industrielle
• Paquet 400 mil 86 broches TSOP II

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 90 - TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 256 M (8 M x 32)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 143 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 256 Mb (8M x 32) parallèle 143 MHz 5,4ns 90-TFBGA (8x13)
La carte SD-RAM est une carte SD-RAM de 256 Mbit 8Mx32 3,3 V à 90 broches.
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Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
IS42S32800J-7BLI
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
Le système de traitement des données est basé sur les données fournies par le système de traitement des données.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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