MachineU > Produits chinois
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
Les spécifications
Numéro de modèle :
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
DRACHME
Technologie :
SDRAM-DDR2
Capacité de la mémoire :
1Gbit
Organisation de mémoire :
64M x 16
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
400 MHz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
15ns
Temps d'accès :
400 picosecondes
Voltage - alimentation :
1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement :
0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
84-TFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
84-TWBGA (8x12.5)
Définition

Détails du produit

Caractéristiques

• Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
• Les taux de transfert de données à grande vitesse avec une fréquence du système allant jusqu'à 933 MHz
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• Architecture de pré-remplacement 8n-bit
• latence CAS programmable
• La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rafale programmable: 4 et 8
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intermédiaire
• Commutateur BL à la volée
• Autorefresh automatique (ASR)
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
• Autorefresquage par matrice partielle
• broche de réinitialisation asynchrone
• TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
• OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
• ODT dynamique (termination immédiate)
• Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Écrire le nivellement
• Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits DRAM
RoHS Détails
Marque Le secteur privé
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
MT47H64M16NF-25E:M
La mémoire		 Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à la plateforme. Micron Technology Inc. est une société Les données sont fournies par les autorités compétentes.
MT4EIT:M
La mémoire		 Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à la plateforme. Micron Technology Inc. est une société Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire d'évaluation de l'efficacité.
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
La mémoire		 La RAM DDR, 64MX16, 0,4ns, CMOS, PBGA84, 8 x 12,50 mm, 1,20 mm de hauteur, 0,80 mm de hauteur, sans plomb, TWBGA-84 Solution intégrée au silicium Inc. Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage de l'infection par le VIH/SIDA sont publiés dans le rapport annuel annuel de l'Agence.
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
La mémoire		 La RAM DDR, 64MX16, 0,4ns, CMOS, PBGA84, 8 x 12,50 mm, 1,20 mm de hauteur, 0,80 mm de hauteur, sans plomb, TWBGA-84 Solution intégrée au silicium Inc. Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS.

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 1Gb (64M x 16) parallèle 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de type DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 pin TW-BGA
une mémoire DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Numéro de modèle :
Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Mémoire instantanée IC
MachineU Produits chinois
Fournisseur de contact
Exigence de soumission