La mémoire SDRAM DDR3
2 Gb: RAM DDR3 SDRAM x4, x8, x16
Caractéristiques
• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1,5 V d'entrée/sortie de poussée/pull terminée au centre
• Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
• architecture de pré-recherche 8n-bit
• Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
• 8 banques intérieures
• Termination nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, de stroboscope et de masque
• latence de lecture CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rupture fixe (BL) de 8 et coupure de rupture (BC) de 4 (via le réglage de registre de mode [MRS])
• BC4 ou BL8 sélectionnables à la volée (OTF)
• Mode de mise à jour automatique
• TC de 0 à 95 °C
- 64 ms, 8192 cycles de rafraîchissement de 0°C à 85°C
32 ms, 8192 cycles de rafraîchissement à 85°C à 95°C
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Écrire le nivellement
• Registre polyvalent
• Étalonnage du pilote de sortie