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CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie
Les spécifications
Numéro de modèle :
CY62146EV30LL-45ZSXI
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
SRAM
Technologie :
SRAM - Asynchrone
Capacité de la mémoire :
4Mbit
Organisation de mémoire :
256K x 16
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
45ns
Temps d'accès :
45 NS
Voltage - alimentation :
2.2V | 3.6V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
44-TSOP II
Définition

Détails du produit

Description fonctionnelle

Le CY62146EV30 est une mémoire vive statique CMOS haute performance organisée en 256K mots par 16 bits.Le courant actif ultra-faible est idéal pour fournir plus de durée de vie de la batterieTM (MoBL®) dans des applications portables telles que les téléphones cellulairesL'appareil dispose également d'une fonction d'arrêt automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie de 80 pour cent lorsque les adresses ne sont pas basculantes.

Caractéristiques

■ Vitesse très élevée: 45 ns
■ Plage de température
Pour l'industrie: de 40°C à +85°C
¥ Automobile-A: ¥ 40°C à + 85°C
■ Large plage de tension: 2,20 V à 3,60 V
■ épingle compatible avec CY62146DV30
■ Puissance en veille ultra-faible
¢ courant de veille typique: 1 μA
¢ courant de veille maximal: 7 μA
■ Puissance active extrêmement faible
¢ courant actif typique: 2 mA à f = 1 MHz
■ Extension facile de la mémoire avec des fonctionnalités CE et OE
■ Éteindre automatiquement lorsque la fonction est désactivée
■ CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
■ Disponible dans un VFBGA à 48 boules et un TSOP II à 44 broches sans Pb

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série MoBL®
Le type Asynchrone
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Mode de montage DSM/SMT
Nom commercial MoBL
Boîtier de colis 44-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.2 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur 44-TSOP II
Capacité de mémoire 4M (256K x 16)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 45 ans
Taux de données Les DTS
Temps d'accès 45 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 256 k x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 20 mA
Voltage d'alimentation maximal 3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 2.2 V
Boîtier de colis Le TSOP-44

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
La mémoire		 La mémoire SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données. Cypress Semiconductor Le nombre total d'équipements utilisés par les autorités compétentes pour la production de l'électricité est fixé par la Commission au niveau de l'Union.
Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.
La mémoire		 La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données. Cypress Semiconductor Le nombre d'unités de production est calculé en fonction du nombre d'unités de production.
Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
La mémoire		 La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données. Cypress Semiconductor Le nombre d'unités de production est calculé en fonction du nombre total d'unités de production.
Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure.
La mémoire		 La RAM SRAM standard, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, TSOP2-44 est utilisée pour les systèmes de stockage de données. Cypress Semiconductor Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail.

Décrits

SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns plateau TSOP-II à 44 broches
SRAM 4 Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
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Détails du produit
Numéro de modèle :
CY62146EV30LL-45ZSXI
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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