Description du produit

Le SST38VF166 se compose de trois banques de mémoire, 2 EEPROM en mode secteur 512K x16 bits chacun plus un E2PROM modifiable par mot 4K x16 bits fabriqué avec le brevet SST,technologie SuperFlash de haute performance. Le SST38VF166 efface et programme avec une seule alimentation.L'appareil est conforme à la norme JEDEC (proposée) pour les mémoires de mots.

Les caractéristiques:

• Opérations de lecture et d'écriture simples de 2,7 à 3,6 V
• Banques de mémoire séparées pour le code ou les données
Capacité à lire et à écrire simultanément
• Une fiabilité supérieure
L'endurance:
Banque E2 - 500 000 cycles (typique)
Banque de flash - 100 000 cycles (typique)
Réservation des données de plus de 100 ans
• Faible consommation électrique
Le courant actif, en lecture: 15 mA (typique)
Courant actif, lecture simultanée pendant l'écriture: 40 mA (typique)
Le courant de veille: 3 μA (typique)

• Opération d'écriture rapide
Flash Bank-Erase + Programme: 8 secondes (typiquement)
- Flash Bloc-Erase + Programme: 500 ms (typiquement)
¢ Flash Sector-Erase + Programme: 30 ms (typiquement)
E2 banque Word-write: 9 ms (typiquement)
• Temps d'effacement, de programmation et d'écriture
Restez au même niveau après le vélo
• Temps d'accès à la lecture
70 ns
• Adresse et données verrouillées
• Détection de la fin de l'écriture
– Toggle Bit
¢ Données# Sondage
• Banque E2:

Secteur d'effacement (32 mots) + programme de mots (même que la banque Flash)
• Banque de flash: deux petites tailles d'éléments d'effacement
1 KWord par secteur ou 32 KWord par bloc
Éliminez l'un ou l'autre élément avant Word-Program
• Compatibilité I/O CMOS
• Ensemble de commandes standard JEDEC
• Paquets disponibles

• Protection continue des données matérielles et logicielles (SDP)
• Un secteur E2 programmable une fois (OTP)