Les spécifications
Numéro de modèle :
S34MS01G104BHI010
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Non-volatile
Format de mémoire :
Flash
Technologie :
ÉCLAIR - NON-ET
Capacité de la mémoire :
1Gbit
Organisation de mémoire :
64M x 16
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
45ns
Temps d'accès :
45 NS
Voltage - alimentation :
1.7V | 1.95V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
63-VFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
63-BGA (11x9)
Définition

Détails du produit

Description générale

Les séries Spansion S34ML01G1, S34ML02G1 et S34ML04G1 sont proposées en alimentation 3.3 VCC et VCCQ, et avec une interface d'E/S x8 ou x16.Sa cellule NAND offre la solution la plus rentable pour le marché du stockage de masse à l'état solide. La mémoire est divisée en blocs qui peuvent être effacés indépendamment de sorte qu'il est possible de préserver les données valides pendant que les anciennes données sont effacées. La taille de la page pour x8 est (2048 + 64 octets de rechange);pour x16 (1024 + 32) mots.

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série MS-1
Emballage Plateau
Boîtier de colis Le nombre total de pièces de rechange est le suivant:
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,95 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique
Capacité de mémoire 1G (64M x 16)
Type de mémoire Flash - NAND
Vitesse 45 ans
Format-mémoire Flash
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
S34MS01G104BHI010
La mémoire
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2 de qualité supérieure. Cypress Semiconductor S34MS01G104BHI010 contre S34MS01G104BHI010

Décrits

Flash - mémoire NAND IC 1Gb (64M x 16) parallèle 45ns 63-BGA (11x9)
SLC NAND Flash parallèle 1.8V 1G-bit 64M x 16 63-Pin plateau BGA
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S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

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Numéro de modèle :
S34MS01G104BHI010
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission