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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
Les spécifications
Numéro de modèle :
MT4E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
DRACHME
Technologie :
SDRAM - LPDDR mobile
Capacité de la mémoire :
512Mbit
Organisation de mémoire :
16M x 32
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
200 MHz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
15ns
Temps d'accès :
5 NS
Voltage - alimentation :
1.7V | 1.95V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
90-VFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
90-VFBGA (8x13)
Définition

Détails du produit

SDRAM DDR à faible consommation mobile

Caractéristiques

• VDD/VDDQ = 1,70 à 1,95 V
• Stroboscope bidirectionnel de données par octet de données (DQS)
• Architecture interne à double débit de données (DDR) en pipeline; deux accès de données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CK et CK#)
• Commandes entrées sur chaque bord CK positif
• DQS aligné sur les bords avec les données pour les READ; centre aligné sur les données pour les WRITE
• 4 banques internes pour une opération simultanée
• Masques de données (DM) pour masquer les données d'écriture; un masque par octet
• Longueur de rafale programmable (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Option de précharge automatique simultanée est prise en charge
• Les modes de mise à jour automatique et d' auto-actualisation
• Les entrées compatibles avec LVCMOS de 1,8 V
• Autorefraîchissement compensé par la température (TCSR)
• Auto-actualisation par partiel (PASR)
• Déconnexion profonde (DPD)
• Registre de lecture de l'état (SRR)
• Force de sortie sélectionnable (DS)
• Possibilité d'arrêter l'horloge
• 64 ms de rafraîchissement, 32 ms pour la température automobile

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationMicron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballageEmballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis90 VFBGA
Température de fonctionnement-40°C à 85°C (TA)
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension10,7 V à 1,95 V
Produit fourni par le fournisseurPour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire512M (16M x 32)
Type de mémoireSDRAM LPDDR mobiles
Vitesse200 MHz
Format-mémoireLa RAM

Décrits

SDRAM - mémoire LPDDR mobile IC 512 Mb (16M x 32) parallèle 200 MHz 5,0ns 90-VFBGA (8x13)
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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
MT4E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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