Description générale

Le présent document contient des informations relatives au dispositif S70FL256P, qui est une pile à deux matrices de deux matrices S25FL129P.

Caractéristiques distinctives
Les avantages architecturaux
■ Opération d'alimentation unique
¢ Plage de tension totale: 2,7 à 3,6 V pour les opérations de lecture et d'écriture
■ L'architecture de la mémoire
Secteurs uniformes de 64 kB
¢ Bloc de paramètres supérieur ou inférieur (deux secteurs de 64 kB)
(détaillée en seize sous-secteurs de 4 kB chacun) pour
chaque flash meurt
Secteurs uniformes de 256 kB (pas de sous-secteurs de 4 kB)
Taille de page de 256 octets
■ Programme
¢ Programme de page (jusqu'à 256 octets) en 1,5 ms (typique)
Les opérations sont effectuées page par page.
Le mode de programmation accéléré via une broche W#/ACC de 9 V

■ Effacement
La fonction d'effacement en vrac pour chaque matrice Flash
Commande d'effacement de secteur (SE) (D8h) pour 64 kB et 256 kB
secteurs
Commande d'effacement de sous-secteur (P4E) (20h) pour les secteurs de 4 kB
(uniquement pour le dispositif de secteur uniforme de 64 kb)
Commande d'effacement de sous-secteur (P8E) (40h) pour les secteurs de 8 kB
(uniquement pour le dispositif de secteur uniforme de 64 kb)
■ Endurance au vélo
¥ 100 000 cycles par secteur
■ Conservation des données
20 ans typiquement
■ Identifiant du dispositif
Signature électronique de deux octets standard JEDEC
Signature électronique d'un octet de la commande RES
Compatibilité
■ zone programmable unique (OTP) sur chaque matrice Flash pour
l'identification permanente et sécurisée; peut être programmée et
verrouillé à l'usine ou par le client
■ Compatible avec la CFI (interface flash commune): permet à l'hôte
système permettant d'identifier et d'accueillir plusieurs dispositifs flash
■ Technologie des procédés
Fabriqué à l'aide de la technologie de traitement MirrorBit® de 0,09 μm
■ Option de forfait


️ 24 balles BGA (6 x 8 mm), configuration 5 x 5 broches
(Poursuite...)