Les spécifications
Numéro de modèle :
W29N01HVSINA
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Non-volatile
Format de mémoire :
Flash
Technologie :
ÉCLAIR - NON-ET (SLC)
Capacité de la mémoire :
1Gbit
Organisation de mémoire :
128M x 8
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
25ns
Temps d'accès :
25 NS
Voltage - alimentation :
2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largeur)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
48-TSOP
Définition

Détails du produit

Définition générale

Le W29C040 est une mémoire flash en mode CMOS de 4 mégaoctets et 5 volts organisée en 512K ́8 bits.Un VPP de 12 volts n'est pas nécessaireL'architecture de cellule unique du W29C040 permet des opérations d'écriture (effacement/programme) rapides avec une consommation de courant extrêmement faible (par rapport à d'autres produits de mémoire flash de 5 volts comparables).) L'appareil peut également être effacé et programmé à l'aide de programmeurs EPROM standard.

Caractéristiques

· Opérations d'écriture (effacement et programmation) simples à 5 volts
· Opérations d'écriture rapide
- 256 octets par page
- Cycle d'écriture (effacement/programme) de page: 5 ms (typiquement)
- Durée effective du cycle d'écriture (effacement/programme): 19,5 ms
- Écriture optionnelle des données protégées par logiciel
· Opération rapide d'effacement des puces: 50 mS
· Deux blocs de démarrage de 16 KB avec verrouillage
· Cycles d'écriture (effacement/programme) de page: 50K (typiquement)
· Temps d'accès à la lecture: 70/90/120 nS
· Rétention des données pendant dix ans
· Protection des données logicielles et matérielles
· Faible consommation d'énergie
- courant actif: 25 mA (typiquement)
- courant de veille: 20 mA (typiquement)
·Temps d'écriture (effacement/programme) automatique avec génération interne de VPP
· Détection de fin d'écriture (effacement/programme)
- Un peu de basculement.
- Des sondages de données
· Adresse et données verrouillées
· Toutes les entrées et sorties sont directement compatibles TTL
· Pinouts à largeur d'octet standard JEDEC
· Packs disponibles: 32 broches 600 mil DIP, TSOP et PLCC

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Électronique Winbond
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 48-TFSOP (0,488", largeur 12,40 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure.
Capacité de mémoire 1G (128M x 8)
Type de mémoire Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
Vitesse 25 ans
Format-mémoire Flash

Décrits

Flash - NAND (SLC) mémoire IC 1Gb (128M x 8) parallèle 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I
Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Électronique de Winbond

Demandez le dernier prix
Numéro de modèle :
W29N01HVSINA
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Électronique de Winbond

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission