Définition générale
Le W29C040 est une mémoire flash en mode CMOS de 4 mégaoctets et 5 volts organisée en 512K ́8 bits.Un VPP de 12 volts n'est pas nécessaireL'architecture de cellule unique du W29C040 permet des opérations d'écriture (effacement/programme) rapides avec une consommation de courant extrêmement faible (par rapport à d'autres produits de mémoire flash de 5 volts comparables).) L'appareil peut également être effacé et programmé à l'aide de programmeurs EPROM standard.
Caractéristiques
· Opérations d'écriture (effacement et programmation) simples à 5 volts
· Opérations d'écriture rapide
- 256 octets par page
- Cycle d'écriture (effacement/programme) de page: 5 ms (typiquement)
- Durée effective du cycle d'écriture (effacement/programme): 19,5 ms
- Écriture optionnelle des données protégées par logiciel
· Opération rapide d'effacement des puces: 50 mS
· Deux blocs de démarrage de 16 KB avec verrouillage
· Cycles d'écriture (effacement/programme) de page: 50K (typiquement)
· Temps d'accès à la lecture: 70/90/120 nS
· Rétention des données pendant dix ans
· Protection des données logicielles et matérielles
· Faible consommation d'énergie
- courant actif: 25 mA (typiquement)
- courant de veille: 20 mA (typiquement)
·Temps d'écriture (effacement/programme) automatique avec génération interne de VPP
· Détection de fin d'écriture (effacement/programme)
- Un peu de basculement.
- Des sondages de données
· Adresse et données verrouillées
· Toutes les entrées et sorties sont directement compatibles TTL
· Pinouts à largeur d'octet standard JEDEC
· Packs disponibles: 32 broches 600 mil DIP, TSOP et PLCC