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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.
Les spécifications
Numéro de modèle :
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Volatil
Format de mémoire :
SRAM
Technologie :
SRAM - Synchrone, DTS
Capacité de la mémoire :
4.5Mbit
Organisation de mémoire :
128K x 36
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
133 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
-
Temps d'accès :
4 NS
Voltage - alimentation :
3.135V | 3.6V
Température de fonctionnement :
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
Les pièces détachées
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
Le nombre d'étoiles est de:
Définition

Détails du produit

Description fonctionnelle

Le CY7C1350G est une SRAM à décharge de 3,3 V, 128 K × 36 à tuyauterie synchrone conçue spécifiquement pour prendre en charge des opérations de lecture/écriture régulières illimitées sans l'insertion d'états d'attente.Le CY7C1350G est équipé de la logique avancée No Bus LatencyTM (NoBLTM) nécessaire pour permettre des opérations de lecture/écriture consécutives avec des données transférées à chaque cycle d'horlogeCette caractéristique améliore considérablement le débit de la SRAM, en particulier dans les systèmes qui nécessitent de fréquentes transitions écriture/lecture.

Caractéristiques

■ Compatible avec les broches et fonctionnellement équivalent aux appareils ZBTTM
■ Contrôle interne du tampon de sortie automatique pour éliminer la nécessité d'utiliser l'OE
■ capacité d'écriture par octet
■ 128 K × 36 architecture commune d'E/S
■ 3,3 V d'alimentation électrique (VDD)
■ alimentation électrique d'entrée/sortie de 2,5 V / 3,3 V (VDDQ)
■ Temps rapides d'horloge à sortie
¢ 2,8 ns (pour les appareils de 200 MHz)
■ Clock enable (CEN) pin pour suspendre le fonctionnement
■ Écriture synchrone et autotemporale
■ Activer la sortie asynchrone (OE)
■ Disponible dans le paquet TQFP à 100 broches sans Pb, le paquet BGA à 119 boules sans Pb et non sans Pb
■ Capacité de détonation: ordre de détonation linéaire
■ Option en mode veille

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Nom de l'organisme
Emballage Plateau
Boîtier de colis Les pièces détachées
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3.135 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'étoiles est de:
Capacité de mémoire 4.5M (128K x 36)
Type de mémoire SRAM - synchrone
Vitesse 133 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SRAM - mémoire synchrone IC 4,5 Mb (128K x 36) parallèle 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
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Détails du produit
Numéro de modèle :
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semi-conducteurs Corp.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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