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S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon
Les spécifications
Numéro de modèle :
S29GL01GS11FVIH23
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Type de mémoire :
Non-volatile
Format de mémoire :
Flash
Technologie :
ÉCLAIR - NI
Capacité de la mémoire :
1Gbit
Organisation de mémoire :
64M x 16
Interface de mémoire :
Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge :
-
Écrivez la durée de cycle - Word, page :
60ns
Temps d'accès :
110ns
Voltage - alimentation :
1.65V | 3.6V
Température de fonctionnement :
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage :
Monture de surface
Emballage / boîtier :
64-LBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
64-FBGA (13x11)
Définition

Détails du produit

Famille de mémoires non volatiles GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 Volt Core avec I/O polyvalent

Description générale

Les Spansion® S29GL01G/512/256/128S sont des produits flash MirrorBit Eclipse fabriqués sur une technologie de procédé à 65 nm.Ces appareils offrent un temps d'accès rapide à la page aussi rapide que 15 ns avec un temps d'accès aléatoire correspondant aussi rapide que 90 nsIls disposent d'un Buffer d'écriture qui permet de programmer un maximum de 256 mots/512 octets en une seule opération, ce qui rend l'infostation plus efficace.
Ces dispositifs sont donc idéaux pour les applications intégrées actuelles qui nécessitent une densité plus élevée, de meilleures performances et une consommation d'énergie plus faible.

Caractéristiques distinctives

Technologie de l'éclipse MirrorBit de 65 nm
¢Alimentation unique (VCC) pour lecture / programmation / effacement (2,7 V à 3,6 V)
¢ fonctionnalité d'entrée/sortie polyvalente
¢ large plage de tension d'entrée/sortie (VIO): 1,65V à VCC
Le bus de données x16
Lire une page de 32 octets
- 512 octets de programme
¢ Programmer en multiples de page, jusqu'à un maximum de 512 octets
¢Un seul mot et plusieurs programmes sur les mêmes options de mots
¢ Effacement du secteur
Secteurs uniformes de 128 kB
¢ Suspendre et reprendre les commandes pour les opérations Programme et Effacer
¢Registre de l'état, sondage des données et méthodes de brochage prêt/occupé pour déterminer l'état de l'appareil
¢ Protection avancée des secteurs (PAS)
¢ Méthodes de protection volatiles et non volatiles pour chaque secteur
¢Séparez le tableau de 1024 octets One Time Program (OTP) avec deux régions verrouillables
Le tableau des paramètres de l'interface commune flash (CFI)
“Période de température
️ Industrie (-40°C à +85°C)
️ Dans la cabine (-40°C à +105°C)
¥100 000 cycles d'effacement pour tout secteur
¢ Réservation des données pendant 20 ans typique
¢Options d'emballage
– 56-pin TSOP
️ 64 balles LAA BGA renforcée, 13 mm x 11 mm
️ 64 balles LAE BGA renforcée, 9 mm x 9 mm
- 56 boules de VBU renforcé BGA, 9 mm x 7 mm

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le modèle GL-S
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis 64 LBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.65 V à 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur BGA renforcé à 64 pieds (13x11)
Capacité de mémoire 1G (64M x 16)
Type de mémoire Flash - Ni même
Vitesse 110 ns
Format-mémoire Flash
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
S29GL01GS11DHIV20
La mémoire		 Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2. Cypress Semiconductor Les données relatives à l'exposition à la pollution par le gaz sont fournies à l'autorité compétente.
S29GL01GS11DHIV10
La mémoire		 Le système d'alarme est équipé d'un flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, PACKAGE Cypress Semiconductor Les données relatives à l'exposition à la pollution sont fournies à l'autorité compétente.
S29GL01GS10DHI020
La mémoire		 Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, emballage Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS10DHI020
S29GL01GS11DHI020
La mémoire		 Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2. Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS11DHI020
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.
La mémoire		 Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, emballage Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS10DHI010
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
La mémoire		 Le système de détection de l'émission de CO2 doit être équipé d'un système de détection de CO2. Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 par rapport à S29GL01GS11DHI010
S29GL01GS12DHIV10
La mémoire		 Flash, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 x 9 MM, sans halogène et sans plomb, FBGA-64 Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS12DHIV10
Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail.
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes. Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS10FHI010
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'azote.
La mémoire		 Les données de l'appareil doivent être prises en compte dans la mesure du possible. Cypress Semiconductor Les données relatives à l'utilisation de l'équipement doivent être transmises à l'autorité compétente.
S29GL01GS11FHI010
La mémoire		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, et une autre. Cypress Semiconductor S29GL01GS11FHIV23 contre S29GL01GS11FHI010

Décrits

Flash - NOR mémoire IC 1Gb (64M x 16) parallèle 110ns 64-fortifié BGA (13x11)
NOR Flash parallèle 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortifié BGA T/R
Mémoire flash 1G BIT, 3V, 110NS, FBGA à 64 balles, en mode PAGE MEMORY avec technologie de traitement MIRRORBIT de 65 nm, VIO, secteur d'adresse le plus bas protégé
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Détails du produit
Numéro de modèle :
S29GL01GS11FVIH23
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T
Capacité à fournir :
En stock
Délai de livraison :
3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage :
sacs antistatiques et boîtes en carton
Fournisseur de contact
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Années
shenzhen
Depuis 2005
Type d'entreprise :
Distributeur/Wholesaler, Trading Company
Produits principaux :
Circuit intégré IC, Module de rf IC, Gestion IC de puissance
Total annuel :
1000000-3000000
Nombre de salariés :
100~150
Niveau de certification :
Verified Supplier
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