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Tout neuf IRFP260N TO-247 MOS FET d'origine importée avec une puissance élevée de 200V/50A
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Les spécifications
numéro de modèle :
IRFP260N
lieu d'origine :
originaux
Définition :
Transistor
Quantité minimale de commande :
1000
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
15244 pièces
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Packaging Details :
Tape et bobine
Température de fonctionnement :
-55°C à 175°C
Série :
HEXFET
Le type :
Transistor MOSFET
D/C :
Plus de 23 ans
Type de colis :
Dans tout le trou
Application du projet :
Usage général, tous types de produits électroniques
Type de fournisseur :
Producteur d'origine, ODM, Agence, détaillant
Référence croisée :
-
Les médias disponibles :
Fiche de données, photo
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :
Pour les appareils électriques
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :
Pour les appareils électriques
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :
standard
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :
50A
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :
standard
Puissance - Max :
standard
Fréquence - Transition :
standard
Type de montage :
Par le trou, par le trou
Emballage / boîtier :
TO-247
Résistance - Base (R1) :
standard
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
standard
Type de FET :
standard
Caractéristique de FET :
standard
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :
Pour les appareils électriques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :
standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
standard
Vgs(th) (maximum) @ Id :
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
standard
Fréquence :
standard
Rating de courant (ampères) :
50A
Figure du bruit :
standard
Puissance - Sortie :
standard
Tension nominale :
Pour les appareils électriques
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :
standard
Vgs (maximum) :
standard
Type IGBT :
Transistor MOSFET
Configuration :
standard
Le nombre maximal d'émissions de CO2 :
standard
Entrée :
standard
Actuel - vallée (iv) :
standard
Courant - Crête :
50A
Type de transistor :
Transistor de transistor MOSFET
Numéro de pièce :
IRFP260N
Qualité :
Des produits de haute qualité
Temps de réalisation :
1 à 3 jours
Paiement :
Paypal\TT\Western Union\Assurance du commerce
Expédition par :
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Plus
Fournisseur :
Original
Nombre de pièces :
10 pièces
Detalis :
Veuillez nous contacter
Original fromm :
Original Brand
Définition
Description du produit
Type de produit :
Transistor à effet de champ MOS haute puissance
Numéro de modèle :
IRFP260N
Série :
HEXFET
Fournisseur :
INFINEON
Emballage :
TO-247
Installer le style :
Traversant
Neuf et original
IRFP260NTO-247 Transistor à effet de champ MOS haute puissanceest l'un de nos circuits intégrés les plus vendus
Personne de contact :
M. Guo
Tél. :
+86 13434437778
Courriel :
XCDZIC@163.COM
Wechat :
0086 13434437778
Emballage et livraison
Quantité (pièces)
1-100
100-1000
1000-10000
Délai de livraison (jours)
3-5
5-8
À négocier
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Profil de l'entreprise
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FAQ
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Détails du produit
numéro de modèle :
IRFP260N
lieu d'origine :
originaux
Définition :
Transistor
Quantité minimale de commande :
1000
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
15244 pièces
Fournisseur de contact
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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Années
shenzhen
Depuis 2015
Produits principaux :
circuit intégré, IGBT, Microcontrôleur MCU
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
30~50
Niveau de certification :
Active Member
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