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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 puce de transistor MOSFET SMD du canal N 40V/20,5A

Les spécifications

numéro de modèle :

SIR422DP-T1-GE3

lieu d'origine :

originaux

Définition :

Les MOSFET,

Température de fonctionnement :

-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C (TJ)

Série :

Je vous en prie.

Le type :

MOSFET, Transistors

D/C :

23 ans et plus.

Type de colis :

Monture de surface

Application du projet :

Usage général, tous types de produits électroniques

Type de fournisseur :

autres

Référence croisée :

Les médias disponibles :

Une photo

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :

Puissance maximale :

5W(Ta), 34.7W(Tc)

Fréquence - Transition :

Type de montage :

Bâti extérieur, bâti extérieur

Emballage / boîtier :

QFN8

Résistance - Base (R1) :

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :

Type de FET :

N-canal

Caractéristique de FET :

Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :

Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :

20.5 A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

6.6 m @ 20A, 10V

Vgs(th) (maximum) @ Id :

2.5V @ 250A

Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :

48 OR @ 10 V

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :

1785 pF @ 20 V

Fréquence :

Rating de courant (ampères) :

Figure du bruit :

Puissance - Sortie :

Voltage - Nominal :

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :

Vgs (maximum) :

± 20 V

Type IGBT :

Les émissions de dioxyde de carbone sont les suivantes:

Configuration :

Une seule phase

Le nombre maximal d'émissions de CO2 :

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :

1785 pF @ 20 V

Résultats de l'analyse :

Thermistors NTC :

Tension - panne (V (BR) GSS) :

40 V

Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :

Drain actuel (identification) - maximum :

Tension - identification de la coupure (VGS) @ :

Résistance - le RDS (dessus) :

Voltage - sortie :

Tension - compensation (VT) :

Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao) :

Actuel - vallée (iv) :

Actuel - crête :

Type de transistor :

Transistor MOSFET

Nom du produit :

SIR422DP-T1-GE3

Original de :

Marque originale

Detalis :

Veuillez nous contacter

Expédition par :

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post

Paiement :

Paypal et Western Union

Condition :

Tout neuf et original

Garantie :

Garantie de 365 jours

Qualité :

Originaux de haute qualité

Voltage :

Applications :

La norme

Définition

Description du produit

Type de produit:	Transistor à effet de champ unique MOSFET
Numéro de modèle:	SIR422DP-T1-GE3
Série:	Je vous en prie, monsieur.
Le vendeur:	VISHAY
Emballage:	Résultats des tests
Installez le style:	Montage à la surface
	Nouveau et original

SIR422DP-T1-GE3Résultats des tests Transistor à effet de champ unique MOSFETest l'une de nos puces IC les plus vendues

Personne de contact:	M. Guo, vous avez raison.
Télégramme:	+86 13434437778
Votre adresse électronique:	Je ne peux pas vous aider.
Nouschat:	- le numéro d'immatriculation

Emballage et livraison

Quantité (pièces)	1 à 100	100 à 1000	1000 à 10000
Temps de réalisation (jours)	3 à 5	5 à 8	À négocier

Profil de l'entreprise

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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 puce de transistor MOSFET SMD du canal N 40V/20,5A

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Détails du produit

numéro de modèle :

SIR422DP-T1-GE3

lieu d'origine :

originaux

Définition :

Les MOSFET,

Température de fonctionnement :

-55°C ~ 150°C, -55°C ~ 150°C (TJ)

Série :

Je vous en prie.

Le type :

MOSFET, Transistors

Fournisseur de contact

Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member

1 Années

shenzhen

Depuis 2015

Produits principaux :

circuit intégré, IGBT, Microcontrôleur MCU

Total annuel :

3000000-5000000

Nombre de salariés :

30~50

Niveau de certification :

Active Member

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