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SI2301CDS-T1-GE3 P Canaux MOSFET FET puce Composants électroniques IC SOT-23 Emballage

Les spécifications

numéro de modèle :

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

lieu d'origine :

originaux

Définition :

Les MOSFET,

Température de fonctionnement :

-55°C à 150°C, -55°C à 150°C

Série :

SI2

Le type :

MOSFET, Transistors

D/C :

23 ans et plus.

Type de colis :

Monture de surface

Application du projet :

Usage général, tous types de produits électroniques

Type de fournisseur :

autres

Référence croisée :

Les médias disponibles :

autres

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :

Puissance maximale :

860 mW ((Ta),1.6W ((Tc)

Fréquence - Transition :

Type de montage :

Bâti extérieur, bâti extérieur

Emballage / boîtier :

Le SOT-23

Résistance - Base (R1) :

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :

Type de FET :

Caractéristique de FET :

Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :

Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

112 mOhm @ 2,8 A, 4,5 V

Vgs(th) (maximum) @ Id :

1V @ 250A

Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :

10 OR @ 4,5 V

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :

405 pF @ 10 V

Fréquence :

Rating de courant (ampères) :

Figure du bruit :

Puissance - Sortie :

Voltage - Nominal :

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :

Vgs (maximum) :

±8V

Type IGBT :

Configuration :

Une seule phase

Le nombre maximal d'émissions de CO2 :

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :

Résultats de l'analyse :

Thermistors NTC :

Tension - panne (V (BR) GSS) :

Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :

Drain actuel (identification) - maximum :

Tension - identification de la coupure (VGS) @ :

Résistance - le RDS (dessus) :

Voltage - sortie :

Tension - compensation (VT) :

Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao) :

- Je ne sais pas.

Actuel - vallée (iv) :

Actuel - crête :

Type de transistor :

MOS

Nom du produit :

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

Original de :

Marque originale

Detalis :

Veuillez nous contacter

Expédition par :

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post

Paiement :

Paypal et Western Union

Condition :

Tout neuf et original

Garantie :

365 jours de garantie

Qualité :

Originaux de haute qualité

Voltage :

Applications :

MOS

Définition

Description du produit

Type de produit:	Puce de transistor à effet de champ MOSFET
Numéro de modèle:	Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
Série:	SI2
Le vendeur:	VISHAY
Emballage:	Le SOT-23
Installez le style:	Montage à la surface
	Nouveau et original

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9Le SOT-23 Puce de transistor à effet de champ MOSFETest l'une de nos puces IC les plus vendues

Personne de contact:	M. Guo, vous avez raison.
Télégramme:	+86 13434437778
Votre adresse électronique:	Je ne peux pas vous aider.
Nouschat:	- le numéro d'immatriculation

Emballage et livraison

Quantité (pièces)	1 à 100	100 à 1000	1000 à 10000
Temps de réalisation (jours)	3 à 5	5 à 8	À négocier

Profil de l'entreprise

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SI2301CDS-T1-GE3 P Canaux MOSFET FET puce Composants électroniques IC SOT-23 Emballage

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Détails du produit

numéro de modèle :

Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9

lieu d'origine :

originaux

Définition :

Les MOSFET,

Température de fonctionnement :

-55°C à 150°C, -55°C à 150°C

Série :

SI2

Le type :

MOSFET, Transistors

Fournisseur de contact

Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member

1 Années

shenzhen

Depuis 2015

Produits principaux :

circuit intégré, IGBT, Microcontrôleur MCU

Total annuel :

3000000-5000000

Nombre de salariés :

30~50

Niveau de certification :

Active Member

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