Les spécifications
numéro de modèle :
Les États membres doivent respecter les règles de sécurité énoncées à l'annexe II.
lieu d'origine :
originaux
Définition :
Transistors à mousfet n-canal, transistors à mousfet 150V 33A
Quantité minimale de commande :
1000
Conditions de paiement :
L/C, D/P, D/A, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
23250 pièces
Délai de livraison :
5-8 jours ouvrables
Packaging Details :
Tape et bobine
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C, -55℃~+150℃@(Tj)
Série :
HEXFET
Le type :
MOSFET, transistor irf
D/C :
Plus de 23 ans
Type de colis :
Monture de surface
Application du projet :
Le pilote MOSFET, toutes sortes de produits électroniques
Type de fournisseur :
ODM
Référence croisée :
IRF3205PBF
Les médias disponibles :
Autre
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :
Stable
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :
Stable
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :
Stable
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :
Stable
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :
Stable
Puissance - Max :
Stable
Fréquence - Transition :
Stable
Type de montage :
Monture de surface, monture de surface
Emballage / boîtier :
TO-252-3
Résistance - Base (R1) :
Stable
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
Stable
Type de FET :
Stable
Caractéristique de FET :
Stable
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :
Pour les appareils électriques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :
33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
Stable
Vgs(th) (maximum) @ Id :
Stable
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :
26nC@10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1.75nF@50V
Fréquence :
Stable
Rating de courant (ampères) :
Stable
Figure du bruit :
Stable
Puissance - Sortie :
Stable
Tension nominale :
Stable
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :
Stable
Vgs (maximum) :
Stable
Type IGBT :
Stable
Configuration :
Stable
Le nombre maximal d'émissions de CO2 :
Stable
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :
Stable
Entrée :
Stable
Thermistors NTC :
Stable
Tension - panne (V (BR) GSS) :
Stable
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Stable
Drain actuel (identification) - maximum :
Stable
Tension - identification de la coupure (VGS) @ :
Stable
Résistance - le RDS (dessus) :
42mΩ@10V,21A
Voltage - sortie :
Stable
Tension - compensation (VT) :
Stable
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao) :
Stable
Actuel - vallée (iv) :
Stable
Courant - Crête :
Stable
Type de transistor :
standard
Expédition par :
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Moyens de paiement :
TT
Transport aérien :
3 000 pièces par bobine
Qualité :
100% de la marque originale
Le service :
Un seul arrêt pour le service Bom
Temps de réalisation :
1 à 3 jours ouvrables
feuille de données :
Veuillez nous contacter !
Invertisseur :
Veuillez nous contacter !
Detalis :
Veuillez nous contacter
Tension :
Stable
Applications :
Stable
Définition
Description du produit
Type de produit:
Transistor à effet de champ MOSFET n-canal
Numéro de modèle:
Les États membres doivent respecter les règles de sécurité énoncées à l'annexe II.
Série:
HEXFET
Le vendeur:
Infineon
Emballage:
TO-252-3
Installez le style:
Type de montage de surface
Nouveau et original
Les États membres doivent respecter les règles de sécurité énoncées à l'annexe II.TO-252-3 Transistor à effet de champ MOSFET n-canalest l'une de nos puces IC les plus vendues
Personne de contact:
M. Guo, vous avez raison.
Télégramme:
+86 13434437778
Votre adresse électronique:
Je ne peux pas vous aider.
Nouschat:
- le numéro d'immatriculation
Emballage et livraison
Quantité (pièces)
1 à 100
100 à 1000
1000 à 10000
Temps de réalisation (jours)
3 à 5
5 à 8
À négocier
Tubes à semi-conducteurs d'oxyde de métal de type IRFR4615TRLPBF à thyristors originaux à mosfet TO-252-3 n-canal 150V 3A
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Profil de l'entreprise
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Transistors à mousfet n-canal, transistors à mousfet 150V 33A
Quantité minimale de commande :
1000
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Capacité d'approvisionnement :
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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Années
shenzhen
Depuis 2015
Produits principaux :
Total annuel :
3000000-5000000
Nombre de salariés :
30~50
Niveau de certification :
Active Member
Fournisseur de contact
Exigence de soumission