IRFR024NTRPBF MOSFET N-Channel 55V 24A avec RDS(on) ultra-faible de 0,028Ω, vitesse de commutation rapide, testé à 100 % en avalanche, boîtier DPAK compact, sans plomb et conforme RoHS
Applications
Applications de commande de moteur à balais
Applications de commande de moteur BLDC
Circuits alimentés par batterie
Topologies en demi-pont et en pont complet
Applications de redressement synchrone
Alimentations à mode résonant
Commutateurs d'alimentation OR-ing et redondants
Convertisseurs CC/CC et CA/CC
Onduleurs CC/CA
Avantages
Grille, avalanche et dV/dt dynamique améliorés
Robustesse, capacité et SOA d'avalanche entièrement caractérisées
Capacité dV/dt et dI/dt de la diode de corps améliorée
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Caractéristiques
Caractéristiques électriques
MOSFET canal N, mode d'amélioration
Tension Drain-Source (VDSS): 55V
Courant de drain continu (lD):
34A (@25°C)
23A (@100°C)
Résistance à l'état passant (RDS(on)):
0,0242 (typique, VGS=10V)0
0,0282 (max, VGS=10V)
Tension de seuil de grille (VGs(th)): 2V ~ 4V
Tension maximale Grille-Source (VGs): ±20V
Caractéristiques de commutation
Capacité d'entrée (Ciss): 1100pF (typique)
Capacité de sortie (Coss): 300pF (typique)
Capacité de transfert inverse (Crss): 80pF (typique)
Temps de retard à l'activation/désactivation (td(on)/td(off)): Niveau nanoseconde, adapté à la commutation haute fréquence
Performances thermiques
Dissipation de puissance maximale (PD): 48W(@25°C)
Résistance thermique (RθJA): 62°C/W (sans dissipateur thermique)
Plage de température de fonctionnement : -55°C ~ +175°C
Boîtier et caractéristiques mécaniques
Type de boîtier : TO-252 (DPAK), montage en surface
Conception conforme RoHS, sans plomb
Faible inductance parasite, optimisée pour la disposition du circuit imprimé
INFORMATION
Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
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Statut de la pièce
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Actif
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Type de FET
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Technologie
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Tension Drain-Source (Vdss)
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55 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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75mOhm @ 10A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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370 pF @ 25 V
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Caractéristique FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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45W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Montage en surface
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Boîtier du dispositif du fournisseur
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TO-252AA (DPAK)
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
Notre avantage :
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