Les spécifications
Numéro de modèle :
IRFR024NTRPBF
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T, Western Union,
Capacité à fournir :
1000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après réception du paiement
Détails de l'emballage :
Emballé dans le plateau d'origine, puis en carton, enfin en sac à bulles pour l'emballage extérieur
Fonction :
Pas en avant, pas en arrière
Configuration de sortie :
Positif ou négatif
Topologie :
Buck, Boost
Type de sortie :
Réglable
Nombre de sorties :
1
Définition

IRFR024NTRPBF MOSFET N-Channel 55V 24A avec RDS(on) ultra-faible de 0,028Ω, vitesse de commutation rapide, testé à 100 % en avalanche, boîtier DPAK compact, sans plomb et conforme RoHS

Applications

Applications de commande de moteur à balais

Applications de commande de moteur BLDC

Circuits alimentés par batterie

Topologies en demi-pont et en pont complet

Applications de redressement synchrone

Alimentations à mode résonant

Commutateurs d'alimentation OR-ing et redondants

Convertisseurs CC/CC et CA/CC

Onduleurs CC/CA

Avantages

Grille, avalanche et dV/dt dynamique améliorés

Robustesse, capacité et SOA d'avalanche entièrement caractérisées

Capacité dV/dt et dI/dt de la diode de corps améliorée

Sans plomb

Conforme RoHS, sans halogène

Caractéristiques

Caractéristiques électriques
MOSFET canal N, mode d'amélioration

Tension Drain-Source (VDSS): 55V

Courant de drain continu (lD):
34A (@25°C)
23A (@100°C)
Résistance à l'état passant (RDS(on)):
0,0242 (typique, VGS=10V)0
0,0282 (max, VGS=10V)

Tension de seuil de grille (VGs(th)): 2V ~ 4V

Tension maximale Grille-Source (VGs): ±20V
Caractéristiques de commutation
Capacité d'entrée (Ciss): 1100pF (typique)

Capacité de sortie (Coss): 300pF (typique)

Capacité de transfert inverse (Crss): 80pF (typique)

Temps de retard à l'activation/désactivation (td(on)/td(off)): Niveau nanoseconde, adapté à la commutation haute fréquence

Performances thermiques
Dissipation de puissance maximale (PD): 48W(@25°C)

Résistance thermique (RθJA): 62°C/W (sans dissipateur thermique)

Plage de température de fonctionnement : -55°C ~ +175°C
Boîtier et caractéristiques mécaniques
Type de boîtier : TO-252 (DPAK), montage en surface

Conception conforme RoHS, sans plomb

Faible inductance parasite, optimisée pour la disposition du circuit imprimé

INFORMATION

Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Ruban et bobine (TR)
Ruban coupé (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Actif
Type de FET
Technologie
Tension Drain-Source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Caractéristique FET
-
Dissipation de puissance (Max)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier du dispositif du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Boîtier / Boîtier
Numéro de produit de base

Dessin

IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET avec ultra-faible 0.028Ω RDS ((on), vitesse de commutation rapide 100% Avalanche testé Package compact DPAK sans plomb et conforme à la RoHS

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IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET avec ultra-faible 0.028Ω RDS ((on), vitesse de commutation rapide 100% Avalanche testé Package compact DPAK sans plomb et conforme à la RoHS

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Numéro de modèle :
IRFR024NTRPBF
Lieu d'origine :
Chine
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1
Conditions de paiement :
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Capacité à fournir :
1000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après réception du paiement
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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

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10 Années
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Fabricant
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
>20
Niveau de certification :
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