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STF28NM50N MOSFET de puissance 500V/28A, faible résistance 0,135Ω Rds(on), commutation rapide, robuste en avalanche, mode éco, faible charge de grille, boîtier TO-220FP, certifié RoHS pour alimentations à découpage et entraînements de moteurs
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Les spécifications
Numéro de modèle :
STF28NM50N
Lieu dand#39;origine :
CHINE
Quantité de commande minimale :
1
Conditions de paiement :
T / T, Western Union,
Capacité dand#39;offre :
1000pcs par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Détails dand#39;emballage :
Emballé dans un plateau dand#39;origine dand#39;abord, puis Carton, enfin un sac à bulles pour land#
Fonction :
Step-up, débarqueur
Configuration de sortie :
Positif ou négatif
Topologie :
Buck, boost
Type de sortie :
Réglable
Nombre de sorties :
1
Définition

STF28NM50N MOSFET de puissance 500V/28A, faible résistance 0,135andOmega; Rds(on), commutation rapide, robuste en avalanche, mode Eco, faible charge de grille, boîtier TO-220FP, certifié RoHS pour SMPS et entraînements de moteurs

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Caractéristiques

andbull; Testé à 100% en avalanche

andbull; Faible capacité d'entrée et charge de grille

andbull; Faible résistance d'entrée de grille

andnbsp;

Applications

andbull; Applications de commutation

andnbsp;

Description

Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de l'entreprise pour obtenir l'une des résistances à l'état passant et des charges de grille les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.

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INFORMATIONS

Catégorie
andnbsp;
Fabricant
STMicroelectronics
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Série
MDmeshandtrade; II
andnbsp;
Emballage
Tube
andnbsp;
Statut de la pièce
Actif
andnbsp;
Type de FET
Canal N
andnbsp;
Technologie
MOSFET (Oxyde métallique)
andnbsp;
Tension drain-source (Vdss)
500 V
andnbsp;
Courant - Drain continu (Id) @ 25anddeg;C
21A (Tc)
andnbsp;
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
10V
andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158mOhm @ 10.5A, 10V
andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250andmicro;A
andnbsp;
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
andnbsp;
Vgs (Max)
andplusmn;25V
andnbsp;
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1735 pF @ 25 V
andnbsp;
Caractéristique FET
-
andnbsp;
Dissipation de puissance (Max)
35W (Tc)
andnbsp;
Température de fonctionnement
150anddeg;C (TJ)
andnbsp;
Grade
-
andnbsp;
Qualification
-
andnbsp;
Type de montage
Trou traversant
andnbsp;
Boîtier du dispositif du fournisseur
TO-220FP
andnbsp;
Boîtier / Boîtier
TO-220-3 Full Pack
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Numéro de produit de base
STF28

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Dessin

STF28NM50N MOSFET de puissance 500V/28A, faible résistance 0,135Ω Rds(on), commutation rapide, robuste en avalanche, mode éco, faible charge de grille, boîtier TO-220FP, certifié RoHS pour alimentations à découpage et entraînements de moteurs

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Notre avantage :téléphones, PDA, ordinateurs portables

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Détails du produit
Numéro de modèle :
STF28NM50N
Lieu dand#39;origine :
CHINE
Quantité de commande minimale :
1
Conditions de paiement :
T / T, Western Union,
Capacité dand#39;offre :
1000pcs par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Fournisseur de contact
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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
11 Années
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
Module d'alimentation IGBT, composants de circuit intégré, Composants électroniques passifs
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
>20
Niveau de certification :
Verified Supplier
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