FM24CL04B-G 4KB 5V FRAM AVEC ENDURTION INDIMITE 150NS NO-DELAY Écrit 1 MHz I2C Interface 10 ^ 14 Cycles de lecture / écriture bas 50 μA Current de veille et rétention de données de 40 ans

• Mémoire dand#39;accès aléatoire ferroélectrique de 4 kbit (F-RAM) Logiquement organisé comme 512 × 8
  • 100 billions à haute endurance (10¹⁴) lire / écrire
  • Rétention des données de 151 ans (voir la rétention des données et land#39;endurance à la page 10)
  • Nodelay ™ écrit
  • Processus ferroélectrique avancé de haute fiabilité
• Interface série rapide à 2 fils (I2C)
  • Fréquence jusquand#39;à 1 MHz
  • Remplacement du matériel direct pour EEPROM en série (I2C)
  • Prend en charge les horaires hérités pour 100 kHz et 400 kHz
• Faible consommation dand#39;énergie
  • 100 μA de courant actif à 100 kHz
  • Courant de veille de 3 μA (TYP)
• Fonctionnement de tension: VDD = 2,7 V à 3,65 V
• Température industrielle: -40 ℃ à + 85 ℃
• Ensemble Circuit intégré à 8 broches (SOIC)
• Restriction des substances dangereuses (ROHS) conformes

Le FM24CL04B est une mémoire non volatile de 4 kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire dand#39;accès aléatoire ferroélectrique ou F-Ram est non volatile et effectue des lectures et écrit similaires à un RAM. Il fournit une rétention fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par land#39;EEPROM et dand#39;autres souvenirs non volatils.

Contrairement à EEPROM, le FM24CL04B effectue des opérations dand#39;écriture à la vitesse du bus. Aucun retard dand#39;écriture nand#39;est encouru. Les données sont écrites dans le tableau de mémoire immédiatement après que chaque octet soit transféré avec succès sur land#39;appareil. Le prochain cycle de bus peut commencer sans avoir besoin de sondage de données. De plus, le produit offre une endurance dand#39;écriture substantielle par rapport à dand#39;autres souvenirs non volatils. De plus, F-Ram présente une puissance beaucoup plus faible pendant les écritures que land#39;EEPROM, car les opérations dand#39;écriture ne nécessitent pas une tension dand#39;alimentation élevée en interne pour les circuits dand#39;écriture. Le FM24CL04B est capable de prendre en charge 10¹⁴Les cycles de lecture / écriture, ou 100 millions de fois plus de cycles dand#39;écriture que land#39;EEPROM.

Ces capacités rendent le FM24CL04B idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de la journalisation des données, où le nombre de cycles dand#39;écriture peut être critique, à des contrôles industriels exigeants où le long temps dand#39;écriture de land#39;EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de frais généraux pour le système.

Le FM24CL04B offre des avantages substantiels aux utilisateurs de land#39;EEPROM en série (I2C) en tant que remplacement du matériel. Les spécifications de land#39;appareil sont garanties sur une plage de température industrielle de -40 ° C à + 85 ° C.

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