Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
+/- 200 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
86 A
Palladium - dissipation de puissance : :
357 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
3 KILOVOLTS
Emballage / boîtier: :
Le système ISOPLUS i4-Pak-3
Température de fonctionnement maximale: :
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte: :
+/- 25 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: :
2,7 V
Définition :
Transistors IGBT à haute tension à gain élevé BIMOSFET