Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
250 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
60 A
Palladium - dissipation de puissance : :
260 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
650 V
Emballage / boîtier: :
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale: :
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte: :
+/- 20 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: :
2,4 V
Fabricant: :
STMicroélectronique
Définition :
Les transistors IGBT sont des transistors IGBT 600V 30A.