Les spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
250 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
60 A
Palladium - dissipation de puissance : :
260 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
650 V
Emballage / boîtier: :
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale: :
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte: :
+/- 20 V
Emballage: :
Tuyaux
Configuration: :
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: :
2,4 V
Fabricant: :
STMicroélectronique
Définition :
Les transistors IGBT sont des transistors IGBT 600V 30A.
Définition
Le STGP30H65F,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
250 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
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60 A
Palladium - dissipation de puissance : :
260 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Années
shenzhen
Depuis 2013
Total annuel :
1.000.000.00-30.000.000.00
Nombre de salariés :
15~25
Niveau de certification :
Active Member
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Exigence de soumission