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Le système de détection des déchets est utilisé.
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Les spécifications
Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
+/- 250 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
80 A
Palladium - dissipation de puissance : :
283 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
650 V
Emballage / boîtier: :
TO-3P-3
Température de fonctionnement maximale: :
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte: :
+/- 30 V
Configuration: :
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: :
1,6V
Fabricant: :
STMicroélectronique
Définition :
Transistors IGBT Port de tranchée IGBT, série HB 650 V, 40 A à haute vitesse
Définition
Le STGWT40HP65FB,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Détails du produit
Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
+/- 250 nA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
80 A
Palladium - dissipation de puissance : :
283 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
650 V
Fournisseur de contact
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Années
shenzhen
Depuis 2013
Produits principaux :
Diodes TVS Suppresseurs ESD, Puce analogique, Les puces d'horloge et de chronomètre
Total annuel :
1.000.000.00-30.000.000.00
Nombre de salariés :
15~25
Niveau de certification :
Active Member
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