Courant de fuite de l' émetteur de porte: :
300 uA
Catégorie de produit: :
Transistors IGBT
Mode de montage: :
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 ° C: :
20 A
Palladium - dissipation de puissance : :
125W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: :
D'une tension de 440 V
Emballage / boîtier: :
DPAK
Température de fonctionnement maximale: :
+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte: :
15 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: :
1,5 V
Définition :
Les transistors IGBT NGD8201ANT4G GEN4 sont des transistors IGBT