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Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V
Les transistors de puissance de l'astuce 3DD13005 commutent le rendement élevé de la tension de base d'émetteur 9V
Les spécifications
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Number modèle :
3DD13005
Tension de collecteur-base :
700v
La température de jonction :
℃ 150
Tension d'Émetteur-base :
9V
Nom de produit :
type de triode de semi-conducteur
Dissipation de collecteur :
1.25W
Type :
Transistor de triode
Définition

 

TO-263-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors 3DD13005 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUE
 

Applications de changement de puissance

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 400 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 9 V
IC Courant de collecteur - continu 1,5
PC Dissipation de collecteur 1,25 W
TJ, Tstg Jonction et température de stockage -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire


 

Ventres =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) Ic= 10 mA, IB=0 400     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE = 1mA, IC =0 9     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB = 700V, IE =0     1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE = 400V, IB =0     0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB = 9 V, IC =0     1 mA

 

Gain actuel de C.C

 hFE (1) VCE = 5 V, IC = 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE = 5 V, IC = 1.5A 5      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tension d'émetteur de base VBE IE= 2A     3 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE =10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Mégahertz
Temps de chute tf IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Temps d'entreposage solides totaux IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICATION de hFE1

Rang              
Gamme 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICATION des solides totaux

 

Rang A1 A2 B1 B2
Gamme 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensions d'ensemble du paquet TO-92

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Mn. Maximum. Mn. Maximum.
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TYPE. 0,100 TYPES.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ 0° 8° 0° 8°
V 5,600 Réf. 0,220 Réf.

 

 

 

 

 

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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
STM32 IC, Stabilisateur IC de tension, Unité de microcontrôleur de MCU
Niveau de certification :
Verified Supplier
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